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西安智盈电气科技有限公司


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IPM 参数测试系统设备

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参   考   价: 9000

订  货  量: ≥1 套

具体成交价以合同协议为准

产品型号ZY-DBC-102

品       牌其他品牌

厂商性质生产商

所  在  地西安市

联系方式:张芳查看联系方式

更新时间:2025-05-15 16:07:36浏览次数:50次

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经营模式:生产厂家

商铺产品:30条

所在地区:陕西西安市

联系人:张芳 (总经理)

产品简介

IPM 参数测试系统设备试系统,选择中心对准SPWM波形作为IPM控制信号源,检测IPM的开关特性参数以及电压电流谐波特性,并对器件的故障信息给予判断处理。

详细介绍

系统概念                                                                              

IPM(Intelligent Power Module), IPM 参数测试系统设备试系统即智能功率模块,是混合集成功率器件, 不仅把功率开关器件和驱动电路集成在一起。而且还内部集成有过电压,过电流和过热等故障检测电路,并可将检测信号送到CPU。  该系统在解决了IPM 的控制信号源以及高速数据采集处理两个关键技术的条件下,是一套基于 DSP 及 FPGA的高速实时测试系统,选择中心对准 SPWM 波形作为IPM控制信号源,检测IPM 的开关特性参数以及电压电流谐波特性,并对器件的故障信息给予判断处理。

测试功能 IPM 参数测试系统设备试系统

测试范围

测试参数

IPM

BVCES BVRRM BVSCES ICES IRRM

VCE(SAT), VFBR, VDSET, VDSET-HP,

ID, VEC,

Uvt, Uvr, OUVt, OUVr, VCIN(ON),

VCIN(OFF),

ICIN(ON), ICIN(OFF), IFO(H), IFO(L),

VFO(SAT), Iin leak, VCIN, ICIN,

Otc, TC-Out, td(OV), Udcout, OV, Ovt,

T_MEAS, V_MEAS

IGBT

ICES BVCES IGES VF VGEON

VTH,VTHS,ICE(SAT),VCE(SAT)

DIODE

VF-Temp,Temp, VF revision

参数指标

静态参数

上桥参数

动态参数

上桥IGBT/FRD漏电流测试(Ices-H)

集电极电压/Vce:100~1200V/±3%/10V


上桥IGBT/FRD耐压测试(Bvce-H)

集电极电流/Ice: 10~75A/±3%/1A


上桥驱动IC低端静态电流测试(IDH)

VD=VBS=15V/±3%/0.1V


上桥驱动IC静态工作电流测试(Iqbs-U V W)

VIN=0~5V/±3%/0.1V


上桥欠压保护监测电平(UVbsd-U V W)

ton-L : 10~500nS/±3%/1nS


上桥欠压保护复位电平(UVbsr-U V W)

tc(on)-L :5~200nS/±3%/1nS


上桥驱动IC导通阈值电压测试(Vth(on)-UH VH WH)

toff-L: 50~500nS/±3%/1nS


上桥驱动IC关断阈值电压测试(Vth(off)-UH VH WH)

tc(off)-L: 5~200nS/±3%/1nS


上桥IGBT饱和电压测试(Vce(sat)-UH VH WH)

Trr-L :10~500nS/±3%/1nS


上桥FRD正向压降测试(VF-(UH VH WH)

Eon-L :0.1~10mJ/±3%/0.1mJ



Eoff-L: 0.1~10mJ/±3%/0.1mJ


下桥IGBT/FRD漏电流测试(Ices-L)

下桥参数

集电极电压/Vce:100~1200V/±3%/10V

下桥驱动IC静态工作电流测试(IDL)

集电极电流/Ice:10~75A/±3%/1A


故障输出电压测试(Vfoh Vfol)

VD=VBS=15V/±3%/0.1V


过流保护阈值电压测试(Vcin(ref))

VIN=0~5V/±3%/0.1V


下桥欠压保护监测电平(UVdd)VD=VBS=15V

on-L : 10~500nS/±3%/1nS


下桥欠压保护复位电平(UVdr)

tc(on)-L :5~200nS/±3%/1nS


下桥驱动IC导通阈值电压(Vth(on)-UL VL WL)

toff-L: 50~500nS/±3%/1nS


下桥驱动IC关断阈值电压(Vth(off)-UL VL WL)

tc(off)-L: 5~200nS/±3%/1nS


下桥IGBT饱和电压测试(Vce(sat)-UL VL WL)

Trr-L :10~500nS/±3%/1nS


下桥FRD正向压降测试(VF-(UL VL WL)

Eon-L :0.1~10mJ/±3%/0.1mJ



Eoff-L: 0.1~10mJ/±3%/0.1mJ






















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