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西安智盈电气科技有限公司


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可控硅动态关断时间测试设备

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参   考   价: 10000

订  货  量: ≥1 套

具体成交价以合同协议为准

产品型号ZY-Drr

品       牌其他品牌

厂商性质生产商

所  在  地西安市

联系方式:张芳查看联系方式

更新时间:2025-05-23 11:36:04浏览次数:60次

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经营模式:生产厂家

商铺产品:30条

所在地区:陕西西安市

联系人:张芳 (总经理)

产品简介

可控硅动态关断时间测试设备主要完成功率器件的开通特性、关断特性以及极限关断特性参数的测试。

详细介绍

可控硅动态关断时间测试设备主要完成功率器件的开通特性、关断特性以及极限关断特性参数的测试。

本技术规格书ZY-Eon适用于IGCT功率半导体标准动态特性测试台(下面简称测试台),规定了测试台的主要技术要求,参数范围,操作流程,试验方法及检验规则等。

本技术规范并未对一切技术细节做出规定,所提供的货物应符合工业标准和本技术规范中所提要求。

1.         引用标准[滨1]

GB/T 15291-2015 半导体器件 第6部分:晶闸管

JB/T 7624-2013 整流二极管测试方法

JB/T 7626-2013 反向阻断三极晶闸管测试方法

以及国标、IEC、IEEE相关标准,以上标准均执行新版本。如本技术规范与上述各标准之间有矛盾,则应满足较高标准。



2.         技术要求

序号

项目

参数

备注


1

常规开通

通态电流

范围:200-10000A,连续可调;


主电容电压

范围:300-7000V,连续可调;




导通电流宽度设定范围

10μs-5ms




上升时间测量范围

0.01-20μs±3%±0.05μs




开通反馈延迟时间测量范围

0.01-20μs±3%±0.05μs




开通延迟时间测量范围

0.01-20μs±3%±0.05μs




开通能量测量范围

0.01-200J±3%±0.1J




开通di/dt测量范围

10-5000A/μs±3%±10A/μs




2

常规关断

关断电流

范围:200-10000A,连续可调;


关断反馈延迟时间测量范围

0.01-20μs±3%±0.05μs




关断延迟时间测量范围

0.01-40μs±3%±0.05μs




关断能量测量范围

0.01-1000J±3%±0.1J




断态电压上升率测量范围

10-5000V/μs±3%±10V/μs




断态电流下降率测量范围

10-10000A/μs±3%±10A/μs




*主回路寄生电感

≤300nH




3

极限关断

关断电流

范围:<20000A;

设备能力

4

数据采集和处理单元

示波器

带宽不低于500MHz,采样率不低于6.5Gs/s


试品控制方式

光纤控制




2.1.         自动恒温压力夹具

序号

项目

参数

备注

1

工作方式

自动,气动


2

压力范围

10~130KN;分辨率0.1 KN,精度±5%±1KN。


3

温度控制范围

70~180℃,分辨率0.1℃;


高压阳极控温器采用非接触式测温


(天津科研院所)

[滨1]梳理本技术规格书引用到的标准


























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