绝缘栅双极型晶体管（IGBT）是继双极晶体管（GTR）和MOSFET后的新一代功率半导体分立器件，其综合GTR和MOSFET的优点，具有易于驱动、峰值电流容量大、自关断、开关频率高的特点，广泛应用于小体积、率的变频电源、电机调速、UPS以及逆变焊机当中，是目前发展zui为迅速的新一代功率器件。

　　国内IGBT产业需求明确，市场增长空间广阔

　　由于下游各细分应用市场需求的快速增长，我国已成为zui大的功率半导体器件消费国。根据赛迪顾问统计，2009年我国功率半导体器件市场规模已达到1215.3亿元，2005年到2009年市场复合增长率达到22.42%。IGBT市场规模占功率器件总市场规模比例为7.05%，目前市场还处于起步阶段，应用还不是很多，但由于IGBT代表了未来功率器件的技术趋势，发展速度很快。未来受益于变频器产业、变频家电产业以及轨道交通产业的大力推动，我们认为国内IGBT市场增长空间非常大，预计2011年市场规模将达到60.2亿元，增速达到30%。

　　国内IGBT产业刚刚起步，与国外企业存在较大技术差距

　　目前国内IGBT市场仍主要由外资企业所把控，前的厂商主要是欧美、日本以及中国台湾的厂商，包括Fairchild、ST、IR、ON Semiconductor、NS、NXP、Infineon、Toshiba以及Renesas。我国企业在技术、设备以及人才等各方面与国外企业的差距都非常大，在芯片设计、芯片制造、模块封装以及单管封装等IGBT产品生产环节都有非常大的提升空间。

　　IGBT产业投资分析

　　我们认为国内IGBT产业正处于起步阶段，企业在IGBT芯片设计、制造以及封装各环节的技术积累都比较少；而相对于国内产业技术的弱势，国内IGBT市场需求却正快速增长，目前已成为zui大的IGBT消费市场。这意味着国内企业未来的发展方向是提升进口替代实力，以技术实力、价格优势和客户优势抢占*，而这里面技术实力是zui为关键的因素，能够提供满足客户技术需求的企业将脱颖而出，享受行业增长的盛宴；另一方面，功率器件的供货认证过程需时较长，通常客户一旦认可上游供应商，便不会轻易变动，合作关系比较稳定。所以我们认为IGBT产业的投资价值zui直接体现在能够首先突破技术瓶颈实现量产的能力，这也是我们评估企业投资价值的标准。IGBT是目前发展zui为迅速的新一代功率器件

　　绝缘栅双极型晶体管（IGBT）是继双极晶体管（GTR）和MOSFET后的新一代功率半导体分立器件，其综合GTR和MOSFET的优点，具有易于驱动、峰值电流容量大、自关断、开关频率高的特点，广泛应用于小体积、率的变频电源、电机调速、UPS以及逆变焊机当中，是目前发展zui为迅速的新一代功率器件。

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