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北京普尔盛电子技术有限公司
产品特点
■PSHI2312 可以驱动全系列1200V IGBT(Vce 监测保护的出厂设置根据1200V IGBT 的特性设定)。
■PSHI2317 可以驱动全系列1700V IGBT(Vce 监测保护的出厂设置根据1700V IGBT 的特性设定)。
■工作模式可以选择为半桥模式或两个单路模式。
■输入可兼容CMOS/TTL(HCMOS)电平。
■通过Vce 提供短路保护。
■发生短路时,具有软关断功能。
■通过变压器(而非光耦)进行电气隔离。
■电源欠压保护(<13V
产品特点
■PSHI2312 可以驱动全系列1200V IGBT(Vce 监测保护的出厂设置根据1200V IGBT 的特性设定)。
■PSHI2317 可以驱动全系列1700V IGBT(Vce 监测保护的出厂设置根据1700V IGBT 的特性设定)。
■工作模式可以选择为半桥模式或两个单路模式。
■输入可兼容CMOS/TTL(HCMOS)电平。
■通过Vce 提供短路保护。
■发生短路时,具有软关断功能。
■通过变压器(而非光耦)进行电气隔离。
■电源欠压保护(<13V)。
■故障记忆,输出电平高低有效可选。
■半桥工作模式下,具有上下管互锁功能。
■内置驱动用隔离开关电源。
■短脉冲抑制功能 (小于500ns 的短脉冲被抑制)。
2 应用领域
■大功率高频开关电源
■半桥或全桥电路
■变频器
■大功率UPS
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