您好, 欢迎来到智能制造网 登录注册产品展厅收藏该商铺

北京创四方电子股份有限公司 北京创四方电子股份有限公司
13

010-57589069

当前位置:
北京创四方电子股份有限公司>脉冲变压器>全封闭IGBT驱动变压器> DRT801/101AIGBT驱动变压器

在线沟通:

市场部 (企宣部)

话:
010-57589069 010-57589000 
机:
 
联系我时,
告知来自智能制造网
真:
86-010-80115555-405362 
商铺网址:
https://www.gkzhan.com/st6312/ 
公司网站:
http://www.bingzi.com 

IGBT驱动变压器

IGBT驱动变压器
产品型号:DRT801/101A
产品参考价:面议
品牌:兵字
厂商性质:生产商
所  在  地:北京市
更新时间:2018-09-18 11:38:43
浏览次数:1118

产品简介
DRT系列IGBT驱动变压器系我公司为驱动IGBT和MOSFET而专门研制的Z新产品,以非晶合金和纳米晶合金作为磁芯
详细介绍

 

动力星DRT801/101A

IGBT驱动变压器

    DRT系列IGBT驱动变压器系我公司为驱动IGBTMOSFET而专门研制的zui新产品,以非晶合金和纳米晶合金作为磁芯,可满足多项应用要求。

 

    一.产品特点:

    耦合电容低,使之具有很高的抗干扰能力;

    漏感小,保证了更好的输出脉冲波形;

    无开关延时、瞬时传输功率高;

    抗电强度高,安全可靠;

    全封闭,机械和耐环境性能好;

    体积小巧,结构紧凑,外形美观,针脚穿孔式安装,使用方便。

 

    二.使用条件

    环境温度:-40~+85℃

    相对湿度:温度为40时不大于90%

    大气压力:860~1060mbar(约为650~800mmHg)

 

    三.绝缘耐热等级F(155℃)

 

    四.安全特性:

    绝缘电阻:常态时大于1000MΩ

    阻燃性:符合UL94-V0

 

    五.各参数意义及外形图、安装尺寸、线圈图和主要技术参数典型值

    ① 各参数的意义:

    u—变比=Ⅰ:Ⅱ:Ⅲ

    VP各绕组之间施加的抗电强度试验电压之有效值,持续时间60s

    ∫udt—额定伏微秒积≈V1·tn在一定频率范围内其值基本不变

    V1输入脉冲幅度初级脉冲电压

    tn在相应的V1FP下驱动变压器的额定传输脉宽。

    V2输出脉冲幅度次级脉冲幅度)。

    RL—IGBT模块或MOSFET控制级等效电阻。

    LP线圈初级电感量 f=1000Hz V=0.3V

    LS漏感将次级绕组短路后测量)f=1000Hz V=1V

    CK分布电容   f=1000Hz V=1V

    ② 外形图、安装尺寸、线圈图及主要技术参数

 

 

u

Vp

(kV)

初级电感

LP

漏感

LS

分布电容

CK

∫udt

(μV S)

V1

(V)

tn

(μS)

V2

(V)

RL

(Ω)

使用频率范围

1:1

3.1

8mH

12μH

25pF

≥280

15

19

13

100

100Hz~50 kHz

 


北京创四方电子股份有限公司主营产品:小型环氧灌封变压器,互感器,霍尔传感器,模块电源 地址:北京市朝阳区酒仙桥北路甲10号院201号楼C3联系电话:010-57589069 010-57589000手机:传真:86-010-80115555-405362
智能制造网 设计制作,未经允许翻录必究.Copyright(C) https://www.gkzhan.com, All rights reserved.

以上信息由企业自行提供,信息内容的真实性、准确性和合法性由相关企业负责,智能制造网对此不承担任何保证责任。
温馨提示:为规避购买风险,建议您在购买产品前务必确认供应商资质及产品质量。

在线留言
二维码

扫一扫访问手机商铺