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IGBT驱动变压器

参  考  价:面议
具体成交价以合同协议为准

产品型号:DRT802/211B

品       牌:

厂商性质:其他

所  在  地:北京市

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更新时间:2023-02-08 08:26:25浏览次数:1487次

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DRT系列IGBT驱动变压器系我公司为驱动IGBT和MOSFET而专门研制的产品,以非晶合金和纳米晶合金作为磁芯

 

动力星DRT802/211B

IGBT驱动变压器

    DRT系列IGBT驱动变压器系我公司为驱动IGBTMOSFET而专门研制的产品,以非晶合金和纳米晶合金作为磁芯,可满足多项应用要求。

 

    一.产品特点:

    耦合电容低,使之具有很高的抗干扰能力;

    漏感小,保证了更好的输出脉冲波形;

    无开关延时、瞬时传输功率高;

    抗电强度高,安全可靠;

    全封闭,机械和耐环境性能好;

    体积小巧,结构紧凑,外形美观,针脚穿孔式安装,使用方便。

 

    二.使用条件

    环境温度:-40~+85℃

    相对湿度:温度为40时不大于90%

    大气压力:860~1060mbar(约为650~800mmHg)

 

    三.绝缘耐热等级F(155℃)

 

    四.安全特性:

    绝缘电阻:常态时大于1000MΩ

    阻燃性:符合UL94-V0

 

    五.各参数意义及外形图、安装尺寸、线圈图和主要技术参数典型值

    ① 各参数的意义:

    u—变比=Ⅰ:Ⅱ:Ⅲ

    VP各绕组之间施加的抗电强度试验电压之有效值,持续时间60s

    ∫udt—额定伏微秒积≈V1·tn在一定频率范围内其值基本不变

    V1输入脉冲幅度初级脉冲电压

    tn在相应的V1FP下驱动变压器的额定传输脉宽。

    V2输出脉冲幅度次级脉冲幅度)。

    RL—IGBT模块或MOSFET控制级等效电阻。

    LP线圈初级电感量 f=1000Hz V=0.3V

    LS漏感将次级绕组短路后测量)f=1000Hz V=1V

    CK分布电容   f=1000Hz V=1V

    ② 外形图、安装尺寸、线圈图及主要技术参数

 

 

u

Vp

(kV)

初级电感

LP

漏感

LS

分布电容

CK

∫udt

(μV S)

V1

(V)

tn

(μS)

V2

(V)

RL

(Ω)

使用频率范围

2:1:1

3.1

14mH

8μH

17pF

≥310

20

15.5

9

100

100Hz~50 kHz

 

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