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IGBT模块: 西门康IGBT模块英飞凌IGBT模块三菱IGBT模块东芝IGBT模块富士IGBT模块

IGBT单管: 优派克IGBT单管仙童IGBT单管富士IGBT单管

IGBT驱动电路和驱动板: 瑞士CONCEPT驱动板西门康驱动板

进口单相三相整流桥: 西门康整流桥德国IXYS整流桥三社SanRex整流桥

自产（可控硅&amp;amp;二极管）分立器件: ZK系列快速二极管 ZP系列普通整流二极管 KP系列普通可控硅 KK系列快速可控硅 KG系列高频可控硅 KS系列双向可控硅 ZX系列旋转整流二极管

进口可控硅二极管分立器件: 西门康可控硅二极管西码可控硅二极管东芝可控硅分立器件 EUPEC可控硅二极管美国IR可控硅二极管意大利POSEICO可控硅瑞士ABB可控硅二极管

自产（可控硅&amp;amp;二极管）模块、整流桥: MKC双快速晶闸管模块 MZC双快速二极管模块 MTC双晶闸管模块 MFQ单相半控桥 MTQ单相全控桥 MTS三相全控桥 MDQ单相整流桥 MDS三相整流桥 MFS三相半控桥 MFC 晶闸管/二极管混合模块 MDC 双二极管模块 MTG三相共阳(非绝缘型)晶闸管模块 MTY三相共阴(非绝缘型)晶闸管模块 MDG三相共阳(非绝缘型)二极管模块 MDY三相共阴(非绝缘型)二极管模 MT非绝缘型单晶闸管模块 MT(i)绝缘型单晶闸管模块 MD非绝缘型单二极管模块 MD(i)绝缘型单二极管模块

无感阻容吸收模块

进口可控硅二极管模块: 西门康可控硅二极管模块三社可控硅二极管模块西码可控硅二极管混合模块英飞凌可控硅二极管模块优派克可控硅二极管模块德国IXYS可控硅二极管模块

自产可控硅触发板和功率单元: 单相触发板

无感电容: 中国台湾CD无感电容美国CDE无感电容

电解电容: 美国CDE电解电容德国 EPCOS电解电容日本日立电容英国 BHC电解电容

快恢复二极管: 中国台湾DACO快恢复二极管德国ixys快恢复二极管韩国Dawin快恢复二极管模块美国安森美ONSEM快恢复二极管

可关断可控硅: 三菱Mitsubishi 东芝TOSHIBA 瑞士ABB

可控硅触发脉冲变压器

阻容吸收模块

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IGBT驱动电路

时间：2013/7/19阅读：1432

IGBT驱动电路

IGBT模块的说法还要追溯到80年代，实际上IGBT的集成结构很复杂，其本身的工作频率比二极管要高很多。按照现在的发展趋势，IGBT是未来半导体器件的主力。进一步把驱动功率给降低很多。

对于IGBT驱动电路的设计来说：电源的情况，元器件关断偏置，耐固性，以及门级电路负荷等等是主要的参数考核（这些仅适用在功率偏大的IGBT驱动电路）。所谓的门级偏压在很大程度上影响着关断特性，因此在设计门级电路的时候，要考虑负载电压的能力以及 dVcE／dt 造成电流所引起的误触发问题，以及门级的电阻大小、正负偏压情况等等所引起的开关受损、承压电路能力等等。

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