北京瑞达利电子科技有限公司
免费会员
IGBT模块
IGBT单管
IGBT驱动电路和驱动板
进口单相三相整流桥
自产(可控硅&二极管)分立器件
进口可控硅二极管分立器件
自产(可控硅&二极管)模块、整流桥
无感阻容吸收模块
进口可控硅二极管模块
自产可控硅触发板和功率单元
无感电容
电解电容
快恢复二极管
可关断可控硅
可控硅触发脉冲变压器
阻容吸收模块

NI推出高性能嵌入式控制器

时间:2013-10-23阅读:908
分享:

自1976年以来,美国国家仪器,简称NI。一直致力于为工程师和科学家提供各种工具来提率、加速创新和探索。NI的图形化系统设计方法为工程界提供了集成式的软硬件平台,有助于加速测量和控制系统的开发。目前,NI共提供500多款软硬件产品,应用遍布电子、机械、通信、汽车制造、生物、医药、化工、科研、教育等各个行业领域。

近日,由NI研发的高性能嵌入式控制器NIPXIe-8115已成功上市,该产品配备了的In?第二代Core?i5双核处理器,能够缩短测试时间,是多核应用程序的理想选择。

为了提高PXI系统的稳定性,NIPXIe-8115控制器配备了In-ROM和硬盘驱动诊断功能,确保实现PXI嵌入式控制器的操作性能。除了高性能的CPU以外,NIPXIe-8115控制器还配备了6个USB2.0端口、2个可连接多台显示器的显示端口、双千兆以太网、GPIB、串行和并行端口。全新的NIPXIe-8115将诊断分析功能与NI备用硬盘驱动和内存相结合,提高了操作性能,从而减少了停工时间,并确保给应用程序带来zui小的影响。

NIPXIe-8115控制器采用InCorei5-2510E处理器,添加了2.5GHz的基本时钟频率功能。并且还采用InTurboBoost技术,基于应用类型自动增加时钟频率。举例来说,当运行只生成单处理线程的应用程序时,CPU会将一个未使用的内核置于空闲状态,并将活动内核的时钟频率从2.5GHz提高至3.1GHz。这样,无需多线程的软件应用程序,就能采用的CPU。它既可在双核、也可在高性能的单核模式下操作,这种灵活性使得控制器可适用于各种应用,包括高性能的自动化测试和工业控制。

会员登录

×

请输入账号

请输入密码

=

请输验证码

收藏该商铺

X
该信息已收藏!
标签:
保存成功

(空格分隔,最多3个,单个标签最多10个字符)

常用:

提示

X
您的留言已提交成功!我们将在第一时间回复您~
在线留言