GT发布全新SiClone 100碳化硅炉产品线
- 2013年07月11日 17:37来源: 人气:1015
工控摘要:GT新推出的SiClone100炉将解决电力电子行业对更高品质SiC材料的需求,这些材料将用于生产*的高功率及高频设备。SiClone100为我们的SiC产品蓝图奠定坚实基础。
GTAdvancedTechnologies日前推出其新型SiClone100碳化硅(SiC)生产炉。SiClone100采用升华生长技术,能生产出高品质的半导体SiC晶体块,可zui终制成zui大直径为100毫米的芯片。在其初步阶段,SiClone100主要针对本身已经拥有热场、合格的晶体块生产配方及正准备开始量产的客户。
GT的总裁兼执行官TomGutierrez表示:“GT新推出的SiClone100炉将解决电力电子行业对更高品质SiC材料的需求,这些材料将用于生产*的高功率及高频设备。SiClone100为我们的SiC产品蓝图奠定坚实基础,根据蓝图我们预计在未来向客户提供可生产八英寸SiC芯片的完整生产环境,包括配方、热场及耗材。”
GT利用其在晶体生长技术领域深入的专业知识,为正在寻求“从实验室向工厂转化”的客户提供高度可靠及经验证的平台,帮助客户开始量产SiC晶体块。SiClone100炉装备有的控制系统,通过将炉电子与人机界面(HMI)相结合,实现生长过程的自动化。SiClone100采用底部灌装设计,从而令热场灌装变得简单。控制系统为用户带来更大的灵活性,用户可根据需要制定过程配方及控制生产参数,例如温度、剖面、斜度及气流,从而改善持续运行的控制重复性,zui终降低制造成本。GT的现场工程师及支援团队将帮助客户快速启动量产。
GTAdvancedTechnologies日前推出其新型SiClone100碳化硅(SiC)生产炉。SiClone100采用升华生长技术,能生产出高品质的半导体SiC晶体块,可zui终制成zui大直径为100毫米的芯片。在其初步阶段,SiClone100主要针对本身已经拥有热场、合格的晶体块生产配方及正准备开始量产的客户。
GT的总裁兼执行官TomGutierrez表示:“GT新推出的SiClone100炉将解决电力电子行业对更高品质SiC材料的需求,这些材料将用于生产*的高功率及高频设备。SiClone100为我们的SiC产品蓝图奠定坚实基础,根据蓝图我们预计在未来向客户提供可生产八英寸SiC芯片的完整生产环境,包括配方、热场及耗材。”
GT利用其在晶体生长技术领域深入的专业知识,为正在寻求“从实验室向工厂转化”的客户提供高度可靠及经验证的平台,帮助客户开始量产SiC晶体块。SiClone100炉装备有的控制系统,通过将炉电子与人机界面(HMI)相结合,实现生长过程的自动化。SiClone100采用底部灌装设计,从而令热场灌装变得简单。控制系统为用户带来更大的灵活性,用户可根据需要制定过程配方及控制生产参数,例如温度、剖面、斜度及气流,从而改善持续运行的控制重复性,zui终降低制造成本。GT的现场工程师及支援团队将帮助客户快速启动量产。
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