英飞凌IGBT命名规则

Simens/EUPEC IGBT 各型号中所指电流都是在Tc=80°C时的标称，有些公司的IGBT是Tc＝25°C的标称，敬请广大用户注意！

BSM100GB120DN2K

BSM--------------带反并联续流二极管(F.W.D)的IGBT模块

BYM--------------二极管模块

   100-----------Tc=80°C时的额定电流

      GA-------- 一单元模块

      GB----------两单元模块(半桥模块)

      GD----------六单元模块

      GT----------三单元模块

      GP----------七单元模块(功率集成模块)

      GAL----------斩波模块(斩波二极管靠近集电极)

      GAR----------斩波模块(斩波二极管靠近发射极)

        120-------额定电压×10

           DL------低饱和压降

           DN2----高频型

           DLC----带(EmCon)二极管的低饱和压降

   BSM系列是原西门子IGBT模块的命名系统。西门子IGBT模块归入EUPEC后，EUPEC标准系列IGBT模块仍沿用西门子型号编制系统。但EUPEC原侧重生产大功率或高压IGBT模块，即EUPEC IHM&IHV系列IGBT模块有其自身的命名系统,EUPEC以FF、FZ、FS、FP来命名。凡是EUPEC成为Infineon（英飞凌）100％子公司后，所有IGBT模块均按EUPEC  IGBT命名系统来命名.

FF400R12KE3
FZ------------ 一单元模块

FF--------------两单元模块(半桥模块)

FP--------------七单元模块(功率集成模块)

FD/DF------------斩波模块

F4---------------四单元模块

FS---------------六单元模块

DD---------------二极管模块

  400-------------Tc=80°C时的额定电流

     R------------逆导型

     S-------------快速二极管

      12-----------额定电压×100

        KF---------高频型(主要在大模块上使用)

        KL--------低饱和压降(主要在大模块上使用)

        KS--------短拖尾高频型

        KE--------低饱和压降

        KT--------低饱和压降高频型