CMOS图像传感器特定的五种制造技术

　CMOS图像传感器(CIS)技术的创新不断改进数字成像领域。虽然需求是由智能手机制造商通过使用增强的相机功能来使其设备在竞争中脱颖而出，但汽车、安全、医疗和制造等领域的应用市场也在增长。

　微小的CMOS图像传感器在功能上堪比人眼的视网膜，现在则堪比以前只有大型昂贵的摄像设备才能完成的工作。此外，与智能手机相比，新应用更加强调推广CIS技术的必要性。因此，CIS技术现在不仅可以为人眼捕捉图像，还可以捕捉数据来支持大量新的用例，从自动驾驶汽车和虚拟现实(VR)到下一代医疗成像和高科技监控系统。

　生产如此复杂的CMOS图像传感器需要特定的制造技术，这些技术可分为五类。

　1、深度PD形成工艺技术

　消费者对增强图像质量的持续需求引发了关于如何提高移动CIS像素密度和分辨率的竞争，这反过来又进一步加速了CIS工艺技术的发展。为此，需要进一步减小像素尺寸，以在相同尺寸的芯片上容纳更多的像素。

　2、像素到像素隔离工艺技术

　对于高清CIS，将像素彼此隔离的技术至关重要。芯片制造商使用不同的隔离技术。使用欠发达的可能会引入图像缺陷，例如颜色混合和颜色扩散。

　3、彩色滤光片阵列（CFA）工艺技术

　彩色滤光片阵列（CFA）是CIS领域的工艺，在半导体存储器工艺中并不常见。CFA工艺通常包括一个滤色器(CF)，可将入射光过滤成每个波长范围的红色、绿色和蓝色，以及一个可提高聚光效率的微透镜(ML)。要创建可靠的图像质量，重要的是评估R/G/B彩色材料并开发优化形状和厚度等参数的技术。

　4、晶圆堆叠工艺技术

　晶圆堆叠，顾名思义，就是将两块晶圆贴合在一起，是生产高像素、高清CIS产品的技术。对于高像素CIS产品，像素阵列和逻辑电路分别形成在单独的晶圆上，然后在过程中使用称为晶圆键合的技术将它们连接起来。

　5、CIS收率和质量控制技术

　CIS产品开发和批量生产过程中最基本的要求之一是金属污染的控制。由于CIS产品对污染的敏感度是内存产品的数倍，而且污染直接影响产品良率和质量，因此强制要求各种污染控制技术。