整流桥就是将整流管封在一个壳内了。分全桥和半桥。全桥是将连接好的桥式整流电路的四个二极管封在一起。半桥是将两个二极管桥式整流的一半封在一起,用两个半桥可组成一个桥式整流电路,一个半桥也可以组成变压器带
由于IGBT模块MOSFET结构,IGBT网格通过一层氧化膜和发射器实现电气隔离。由于氧化膜非常薄,其击穿电压一般20~30v.因此引起的静态电网故障的常见原因之一IGBT的失败。因此使用应注意以下几
太阳能逆变器的设计中,常用的IGBT分别为平面型IGBT和沟道型IGBT。在平面型IGBT中,多晶硅栅极是呈“平面”分布或者相对于p+体区是水平分布的。在沟道型IGBT中,多晶硅栅极是以“沟道方式向下
既有功率MOSFET易于驱动、控制简单、开关频率高的优点。又有功率晶体管的导通电压低、通态电流大、损耗小的优点。基于技术和功能上的优势,IGBT产品可以实现对以往功率器件产品的逐步替代。IGBT产品集
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