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半导体测试仪 MOS管IGBT等器件静态参数

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  • 公司名称西安天光测控技术有限公司
  • 品       牌
  • 型       号ST-SP2000
  • 所  在  地西安市
  • 厂商性质生产厂家
  • 更新时间2022/8/19 17:18:35
  • 访问次数585
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公司简介:

        西安天光测控技术有限公司 是一家从事 半导体功率器件测试设备 研发、生产、销售的高科技技术企业。

        经营产品包括:晶体管图示仪;

                      半导体分立器件测试筛选系统;

                      Si / SiC / GaN 材料的 IGBTs / MOSFETs / DIODEs / BJTs / SCRs的电参数及可靠性和老化测试;

                      静态测试(包括 IGEs / VGE(th) / VCEsat / VF / ICEs / VCEs 等);

                      动态测试(包括 Turn_ON&OFF_L / Qrr_FRD / Qg / Rg / UIS / SC / RBSOA 等);

                      环境老化测试(包括 HTRB / HTGB / H3TRB / Surge 等);

                      热特性测试(包括 PC / TC / Rth / Zth / Kcurve 等)各类全系列测试设备。

        一直以来被广泛应用于半导体器件上游产业(设计、制造、封装、IDM厂商、晶圆、DBC衬板)和下游产业(院所高校、电子厂、轨道机车、新能源汽车、白色家电等元器件的应用端产业链)。

        公司团队汇集了来自国内院校及电力电子行业的专家教授,拥有众多的革命性创新技术。产品成熟可靠,久经市场考验,在替代进口产品方面有着突出的优势。公司从产品到服务,从技术咨询到现场支持,可覆盖功率器件的初始研发到规模化生产的整个领域。

        展望未来,公司将全力发挥自身技术优势,为客户提供更优质的专家级技术服务以及更多的经典产品。

半导体器件测试设备
半导体测试仪 MOS管IGBT等器件静态参数
本系统可自动生成功率器件的I-V曲线,也可根据客户的实际需求设置功能测试,直接读取数显结果。系统在失效分析,IQC来料检验及高校实验室等部门有广泛的应用。系统生成的曲线都使用ATE系统逐点建立,保证了数据的准确可靠。系统典型的测试时间是6 to 20ms,通常上百个数据点曲线只需要几秒钟时间便可以展现出来,数据捕获的曲线可导
半导体测试仪 MOS管IGBT等器件静态参数 产品信息

半导体测试仪 MOS管IGBT等器件静态参数

 

品牌 :天光测控型号 :ST-SP 2000
加工定制 :类型 :分立器件测试仪
测量范围 :电压2000V,电流100A精确度 :正负%0.1精度
仪表尺寸 :200*100*80mm适用范围 :分立器件测试仪
仪表重量 :5kg工作电源 :220v
规格 :半导体参数测试仪  


产品详情
Product details

1. 系统配置简介

1.1 系统概述

                天光测控ST-SP 2000是一款很具有代表性的新型半导体晶体管图示系统,本系统可自动生成功率器件的I-V曲线,也可根据客户的实际需求设置功能测试,直接读取数显结果。系统在失效分析,IQC来料检验及高校实验室等部门有广泛的应用。系统生成的曲线都使用ATE系统逐点建立,保证了数据的准确可靠。系统典型的测试时间是6 to 20ms,通常上百个数据点曲线只需要几秒钟时间便可以展现出来,数据捕获的曲线可导入EXCEL等格式进一步分析研究,是一款高效多功能的半导体测试设备。

半导体测试仪 MOS管IGBT等器件静态参数

本系统使用方便,只需要通过USB或者RS232与电脑连接,通过电脑中友好的人机界面操作,即可完成测试。并可以实现测试数据以EXCEL和WORD的格式保存。系统提供过电保护功能,门极过电保护适配器提供了广泛的诊断测试。这些自我测试诊断被编成测试代码,以提供自我测试夹具,在任何时间都可以检测。对诊断设备状态和测试结果提供了可靠地保证。

 

1.2 天光测控ST-SP 2000测试仪指标

 

技术指标

主极参数

控制极参数

指标

标配

 

指标

标配

 

主极电压:

1mV-2000V

 

控制极电压:

100mV-20V

 

电压分辨率:

1mV

 

电压分辨率:

1mV

 

主极电流:

0.1nA-100A

可扩展1250A

控制极电流:

100nA-10A

 

电流分辨率:

0.1nA

    

测试精度:

0.2+2LSB

    

测试速度:

0.5mS/参数

    

 

1.3  天光测控ST-SP 2000测试系统是一套高速多用途半导体分立器件智能测试系统,它具有十分丰富的编程软件和强大的测试能力,可真实准确测试下列各种大、中、小功率的半导体分立器件。

  

 

测试范围 / 测试参数

 

序号

测试器件

测试参数

 

01

绝缘栅双*功率晶体管

IGBT

ICES;IGESF;IGESR;BVCES;VGETH;VCESAT;ICON;

VGEON;VF;GFS

 

02

MOS场效应管 

MOS-FET

IDSS;IDSV;IGSSF;  IGSSR;VGSF;VGSR;BVDSS;

VGSTH;VDSON、VF(VSD) IDON;VGSON;RDSON;GFS

 

03

J型场效应管

J-FET

IGSS;IDOFF;IDGO;BVDGO;BVGSS;VDSON,VGSON;

IDSS;GFS;VGSOFF

 

04

二极管

DIODE

IR;BVR ;VF

 

05

晶体管

(NPN型/PNP型)

ICBO;ICEO;ICER; ICES; ICEV;IEBO;BVCEO ;BVCBO;

BVEBO;HFE;VCESAT;VBESAT;VBE(VBEON);RE;VF

 

06

双向可控硅

TRIAC

VD+;VD-;VT+ ; VT-;IGT;VGT ;IL+;IL-;IH+;IH-

 

07

可控硅

SCR

IDRM;IRRM;IGKO;VDRM;VRRM;BVGKO;VTM;

IGT;VGT;IL;IH

 

08

硅触发可控硅

STS

IH+; IH-;VSW+ ; VSW-;VPK+ ;

 VPK-;VGSW+;VGSW-

 

09

达林顿阵列

DARLINTON

ICBO; ICEO;ICER;ICES;ICEX;IEBO;BVCEO;

BVCER;BVCEE;BVCES ;BVCBO;BVEBO;hFE ;

VCESAT; VBESAT;VBEON

 

10

光电耦合

OPTO-COUPLER

ICOFF、ICBO;IR;BVCEO;BVECO;BVCBO;BVEBO;

CTR;HFE;VCESAT; VSAT;VF(Opto-Diode)

 

11

继电器

RELAY

RCOIL;VOPER;VREL;RCONT;OPTIME; RELTIME

 

12

稳压、齐纳二极管

ZENER

IR;BVZ;VF;ZZ

 

13

三端稳压器

REGULATOR

Vout;Iin;

 

14

光电开关

OPTO-SWITCH

ICOFF;VD;IGT;VON;ION ;IOFF

 

15

光电逻辑

OPTO-LOGIC

IR;VF;VOH;VOL;IFON; IFOFF

 

16

金属氧化物压变电阻

MOV

ID+ ID-;VN+;  VN-;VC+ ;VCLMP-;VVLMP+ ;

 

17

固态过压保护器

SSOVP

ID+ ID-;VCLAMP+, VCLAMP-;VT+、VT-;IH+、

IH-;;IBO+ IBO-;VBO+  VBO-;VZ+  VZ-

 

18

压变电阻

VARISTOR

ID+;  ID-;VC+   ;VC-

 

19

双向触发二极管

DIAC

VF+,VF-,VBO+,VBO-,IBO+,IBO-,IR+,IR-,

 


1.4系统曲线测试列举
ID vs. VDS at range of VGS             

ID vs. VGS at fixed VDS
IS vs. VSD                             

RDS vs. VGS at fixed ID
RDS vs. ID at several VGS             

IDSS vs. VDS
HFE vs. IC                            

BVCE(O,S,R,V) vs. IC
BVEBO vs. IE                          

BVCBO vs. IC
VCE(SAT) vs. IC             

VBE(SAT) vs. IC
VBE(ON) vs. IC (use VBE test)      

VCE(SAT) vs. IB at a range of ICVF vs. IF

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