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产品介绍：
主要用于测量：亚纳秒至微秒时域的瞬态吸收光谱，包括：基态漂白 (GroundState Bleaching)、激发态吸收 (Excited State Absorption)、系间窜越 (Inter-system Cross)、三线态湮灭 (Triplet -triplet annihilation)、三线态的生成与衰减 (Raise time and decaytime)等；
籍此分析光化学、光生物学、光催化或光物理过程中的瞬态能量转移、电子传递等信息。100 nJ(100 μW @1 kHz)低能量泵浦，对于有机光伏材料(OPV)、OLED、AIE材料的研究！350 - 2200 nm 波段，EOS的时间分辨率都是~1 ns。亚纳秒脉冲白光激光作为探测光，2000 Hz探测频率，CMOS光谱仪与探测光同步，采集~108时域范围3D光谱，要~20 - 60 min! 大光谱范围：350 - 2200 nm，标配 350 - 950 nm，可探测到典型的钙钛矿材料能级跃迁（~1.5 eV）。 探测光点~100μm，结合THS样品架，可做微区扫描。可升级为漫反射(Diffused reflectance)瞬态吸收光谱仪，内置Kubelka–Munk方程计算光吸收，漫反射与透射可切换使用。我们可提供包含亚纳秒激光器的系统解决方案，用于OPV、OLED、金属有机配合物等材料的电子转移、空穴复合等研究。
产品参数：
时间分辨率 | <1 ns |
最小延时步进 | 100 ps |
时间窗口* | 400 µs，1kHz 泵浦激光时 |
适合激光频率 | 10 - 1000 Hz |
探测波长 | 350 – 2200 nm （可选：450 - 2400 nm） |
Vis检测器 | CMOS线阵列传感器 |
数量 | 2 |
像素 | 1024 |
响应波长 | 200 - 1000 nm |
分辨率 | 2 nm (50 µm 狭缝时)，4 nm (200 µm 狭缝时) |
光谱范围 | 600 nm (通常: 350 - 950 nm) |
采集速度 | 2400 条光谱/s（可选：10,000 条光谱/s），14bit |
NIR检测器 | InGaAs线阵列传感器 (选配) |
数量 | 2 |
像素 | 256 |
响应波长 | 800 - 1600 nm |
分辨率 | 5 nm (50 µm 狭缝时)，13 nm (200 µm 狭缝时) |
光谱范围 | 800 nm (通常: 800 - 1600 nm) |
采集速度 | 2400 条光谱/s（可选：10,000 条光谱/s），14bit |
SWIR检测器 | InGaAs线阵列传感器 (选配) |
数量 | 2 |
像素 | 256 |
响应波长 | 1000 - 2600 nm |
分辨率 | 5 nm (50 µm 狭缝时)，13 nm (200 µm 狭缝时) |
光谱范围 | 800 nm (可用: 1600 - 2200 nm) |
采集速度 | 2400 条光谱/s，14bit |
数据格式 | ASCII CSV (兼容Excel) |
数据采集软件 | EOS |
数据分析软件 | Surface Xplorer |
光学模块体积 (长宽高) | 915 X 610 X 250 mm3 |
电子模块体积 (长宽高) | 534 X 610 X 686 mm3 |
* 时间窗和激光频率负相关，20Hz激光能够获得~48 ms 时间窗。
主要应用：
1. 染料敏化光伏材料(CdSe, PbS量子点)的超快电荷分离研究
2. 有机光电材料（OPV）的电荷分离、电子迁移
3. 钙钛矿光伏材料的电荷分离、电子传递
4. 半导体载流子迁移率非线性光吸收材料的激发态吸收
5. 有机发光材料(OLED)的单线态失活、系间窜越、生成三线态过程
6. 金属配位卟啉类材料
7. 光催化过程的超快电荷转移
