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上海伯东美国 KRi 射频离子源 RFICP 系列

参考价	￥700000-￥2000000

具体成交价以合同协议为准

公司名称伯东企业（上海）有限公司
品牌其他品牌
型号
所在地上海市
厂商性质代理商
更新时间2023/4/11 11:47:19
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产品标签:

离子枪线性霍尔离子源离子源 eH Linear KRI 霍尔离子源线性离子源

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公司介绍主营产品

伯东公司成立于1953 年，范围内有一千七百名员工。伯东企业(上海)有限公司(www.hakuto-vacuum.cn)主要从事半导体设备、电子零部件加工、销售及相关服务工作，集团年营业额约为100亿人民币。伯东公司在国内主要城市：北京、苏州、广州、深圳、成都及厦门设有营业据点。
上海伯东真空产品事业部秉承为广大中国客户提供进口真空产品、推动中国真空工艺发展、承担企业社会责任为经营理念，已累计为超过10,000家企业提供真空服务，覆盖工业、半导体、镀膜、科研和分析行业。
上海伯东代理品牌包含：德国Pfeiffer 全系列真空产品、美国 KRI 离子源、美国Brooks Polycold 制冷机，美国HVA 真空阀门，美国 inTEST(Temptronic)高速温度循环测试机，离子蚀刻机，真空镀膜系统及配套真空零配件等。
上海伯东作为真空品牌**代理商，全权负责在中国地区的销售和维修服务，* 使用原厂进口零部件以及国外受训维修工程师；拥有*的拆解，维修，校正能力并提供24小时在线服务。

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德国 Pfeiffer 真空产品, 美国 inTEST 高低温测试机, 美国 Ambrell 感应加热, 美国 Polycold 冷冻机,美国 HVA 真空阀门

产品简介在线询价

上海伯东美国 KRi 射频离子源 RFICP 系列, 无需灯丝提供高能量, 低浓度的离子束, 通过栅极控制离子束的能量和方向, 单次工艺时间更长! 射频源 RFICP 系列提供完整的系列, 包含离子源本体, 电子供应器, 中和器, 自动控制器等.

上海伯东美国 KRi 射频离子源 RFICP 系列产品信息

KRi 射频离子源 RFICP 系列
上海伯东美国 KRi 射频离子源 RFICP 系列, 无需灯丝提供高能量, 低浓度的离子束, 通过栅极控制离子束的能量和方向, 单次工艺时间更长! 射频源 RFICP 系列提供完整的系列, 包含离子源本体, 电子供应器, 中和器, 自动控制器等. 射频离子源适合多层膜的制备, 离子溅镀镀膜和离子蚀刻, 改善靶材的致密性, 光透射, 均匀性, 附着力等.

射频离子源 RFICP 系列技术参数:

型号	RFICP 40	RFICP 100	RFICP 140	RFICP 220	RFICP 380
Discharge 阳极	RF 射频	RF 射频	RF 射频	RF 射频	RF 射频
离子束流	>100 mA	>350 mA	>600 mA	>800 mA	>1500 mA
离子动能	100-1200 V	100-1200 V	100-1200 V	100-1200 V	100-1200 V
栅极直径	4 cm Φ	10 cm Φ	14 cm Φ	20 cm Φ	30 cm Φ
离子束	聚焦, 平行, 散射
流量	3-10 sccm	5-30 sccm	5-30 sccm	10-40 sccm	15-50 sccm
通气	Ar, Kr, Xe, O2, N2, H2, 其他
典型压力	< 0.5m Torr	< 0.5m Torr	< 0.5m Torr	< 0.5m Torr	< 0.5m Torr
长度	12.7 cm	23.5 cm	24.6 cm	30 cm	39 cm
直径	13.5 cm	19.1 cm	24.6 cm	41 cm	59 cm
中和器	LFN 2000

射频离子源 RFICP 系列应用:
离子辅助镀膜 IBAD ( Ion beam assisted deposition in thermal & e-beam evaporation )
离子清洗 PC (In-situ preclean in sputtering & evaporation )
表面改性, 激活 SM (Surface modification and activation )
离子蚀刻 IBE (Ion beam etching of surface features in any material)
离子溅镀 IBSD (Ion beam sputter deposition of single and multilayer structures)
离子溅射镀膜
上海伯东美国考夫曼 KRi 大口径射频离子源 RFICP 220, RFICP 380 成功应用于 12英寸和 8英寸离子束刻蚀机, 作为蚀刻机的核心部件, KRI 射频离子源提供大尺寸, 高能量, 低浓度的离子束, 接受客户定制, 单次工艺时间更长, 满足各种材料刻蚀需求!

KRI 射频离子源典型应用 IBE 离子蚀刻
1978 年 Dr. Kaufman 博士在美国创立 Kaufman & Robinson, Inc 公司, 研发生产考夫曼离子源, 霍尔离子源和射频离子源. 美国考夫曼离子源历经 40 年改良及发展已取得多项专. 离子源广泛用于离子清洗 PC, 离子蚀刻 IBE, 辅助镀膜 IBAD, 离子溅射镀膜 IBSD 领域, 上海伯东是美国考夫曼离子源中国总代理.

若您需要进一步的了解 KRi 射频离子源, 请参考以下联络方式
上海伯东: 罗先生