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管道蒸汽流量计产品详细介绍：
WKLUGB智能蒸汽流量计广泛应用在石油、化工、冶金、造纸等行业流体的计量，该流量计无可动部件，可靠性强、精度高、寿命长，可在很宽的流量范围内精确测量液体的瞬时流量和累计流量。其不受介质温度、压力、粘度及组分的影响，同时不堵、不卡、不易结垢、耐高温、高压，安全防爆，适用于恶劣环境。流量计分一体化显示和远传显示，并可输出脉冲信号或电流信号与微机联网。有模拟标准信号,也有数字脉冲信号输出，容易与计算机等数字系统配套使用，是一种比较*、理想的测量仪器。
管道蒸汽流量计产品特点：
1、安装简便，维护十分方便
2、结构简单牢固，无可动部件，长期运行十分可靠
3、量程范围宽，量程比可达1：15
4、压力损欠小，运行费用低，更具节能意义
5、应用范围广，液体、气体、蒸汽均可测量
6、检定周期长，一般为两年
7、在一定雷诺数范围内，输出信号不受被测介质的物理性质和组分变化的影响，仪表系数仅与漩涡发生体的形状和尺寸有关，调换配件后一般无需重新标定仪表系数
8、可现场显示也可远距离传输，还可与计算机控制系统联网
9、检测探头不直接接触被测介质，性能更稳定
工作原理：
在流体中设置三角柱型旋涡发生体，则从旋涡发生体两侧交替地产生两列有规则的旋涡，这种旋涡称为卡门涡街，如图(一)所示。
图(一)
旋涡列在旋涡发生体下游非对称地排列。设旋涡的发生频率为f，被测介质来流的平均速度为V，旋涡发生体迎流面宽度为d，表体通径为D，根据卡曼涡街原理，有如下关系式:f=St.V/〔(1-1.25d/D)d〕
式中：f－发生体一侧产生的卡门旋涡频率St－斯特罗哈尔数V－流体的平均流速d－柱体流面宽度D-管道内径在漩涡发生体中装入电容检测探头或压电检测探头及相应匹配电路，即可构成电容检测式涡街流量/传感器或压电检测式涡街流量传感器。图(二)
在曲线表中St＝0.17的平直部分，漩涡的释放频率与流速成正比,即为涡街流量传感器测量范围度。只要检测出频率f就可以求得管内流体的流速，由流速V求出体积流量。Q＝3600f/K或M=ρ3600 f/K
式中：K＝仪表常数(1/m3)。M=质量流量Q＝体积流量(m3/h)ρ=介质密度(kg/m3)F=频率HzQ＝体积流量(m3/h)ρ=介质密度(kg/m3)F=频率Hz
WKLUGB系列涡街流量传感器:是我公司在LUGB型涡街流量传感器的基础上精心打造的第三代产品,不仅品质,而且造型更加流畅,推出的现场显示型,智能型以其微功耗及能方面的接入控制系统和计算机系统,而满足不同工况条件下用户的需求;我公司推出的抗震型涡街流量计,具有优良的抗震性能,能自动识别震动信号和流量信号,可同时输出抗震处理和无抗震处理的脉冲信号。
技术参数：
1、测量规格(管道内径):DN10~DN300；
2、测量介质: 液体、气体、过热、饱和蒸汽；
3、连接方式：法兰夹装式、法兰连接、螺纹连接；
4、安装方式：水平、垂直、倾斜、倒装；
5、测量范围:
正常工作范围，雷诺数为20,000～7,000,000；
测量可能范围，雷诺数为8，000～7,000,000；
6、准确度:
A.液体，指示值的±1.0％；
B.气体，指示值的±1.5％；
7、重复性: ≤准确度的1/3；
8、输出信号:
a.三线制电压脉冲低电平:0～1V；高电平:大于4V；占空比为50％；
b.二线制电流4mA～20mA；
c.三线制电流4mA～20mA；
d.RS-485通讯接口 ；
9、电源电压:
24VDC(二线制/RS485通讯)；3.6V干电池 ；
10、介质温度:
普通型-40℃～+150℃；
高温型-40℃～+250℃；
特高温型:-40℃～+350℃；
11、工作压力:
1.6MPa；2.5MPa；4.0MPa(注:其它压力等级的传感器，需定做)；
大气压力: 86kPa～106kPa；
12、压力损失:
ΔP=1.079×10-6 ×ρ×V2(式中:ΔP-压力损失MPa;ρ-被测介质的密度kg/m 3;V-被测介质的流速m/s)；
13、本体材质:a.碳钢;b.不锈钢(1Cr18Ni9Ti)；
14、环境温度:-30℃～+60℃；
15、相对湿度:5％～95％；
16、电器接口:M20×1.5；
17、保护等级:IP65；
18、防爆类型:防爆标志:ExdⅡBT4。
安装注意事项：
1、在计量液体时，务必使流量计传感器始终*充满介质，无夹带气体。
2、在仪表上下游提供足够的直管段并确保非弯曲的对称外形。尽可能在仪表下游安装阀门。
3、竖直安装通常是优先选择的，向上游动的流体能确保仪表总是满管，且介质中的固态成分能够均匀分布。
4、如有可能产生气泡，应提供气体分离器。
5、在易于振动的长管路中进行安装时，应在流量计的上下游安装消除器。
6、对于蒸汽应用，仪表安装应避免安装在U形弯底部，避免因吸收冷凝而在开车时导致的水锤现象，水锤的强度导致传感机构过分受力，致使传感器*损坏。
