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赫尔纳供应美国Xsis晶体振荡器CR55/U

参考价	¥ 2360
订货量	≥1件

具体成交价以合同协议为准

公司名称赫尔纳贸易（大连）有限公司
品牌其他品牌
型号CR61/U
所在地大连市
厂商性质经销商
更新时间2023/7/18 14:34:51
访问次数1370

产品标签:

振荡器工业工厂不锈钢铣床

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公司介绍主营产品

赫尔纳贸易（大连）有限公司

欧洲工业品O2O跨境电商平台

一. 公司简介：

德国赫尔纳贸易公司，是一个立足德国专注于亚洲，尤其是中国和东南亚市场，经营德国高品质工业品的性技术服务以及贸易供应商。本着将世界的优秀产品和技术带到中国，以及把中国的优秀产品介绍到欧洲的理念，我们始终关注先进的自动化产品的发展方向，我们的技术团队会将这些优秀的产品充分的理解，介绍到中国来。对德国市场的充分了解，帮助中国企业的产品出口到欧洲也是我们己任，德国赫尔纳贸易公司已经是中德工业品互动*的一员。

赫尔纳贸易（大连）有限公司是德国赫尔纳贸易公司在大连设立的全资德资企业，立足于有效方便的服务于中国工业客户。我们在中国设有办事处，他们是北京，上海，成都，广州，沈阳，南京，大连。赫尔纳贸易（大连）有限公司将为德国赫尔纳贸易公司有效的服务中国客户，做出自己的贡献。

关于欧洲设备备件采购贸易平台业务：
由于目前国内客户引进欧洲设备上的气动、液压元件、电子电器、各种过程控制类仪表种类繁多；进口备件均依赖主机厂商高价提供，给企业设备维修、采购带来很大困难。
我们已同欧洲多个国家和地区建立了良好的贸易关系，依托德国赫尔纳贸易公司，开始了为中国客户提供欧洲备件的采购平台业务。德国及欧洲给我们供货的厂家目前已达500余家,应用领域包括钢铁冶金、能源电力、石油化工、汽车船舶、机床机械、航天、城建环保、自动控制等行业。

二．赫尔纳欧洲设备备件采购贸易平台业务服务优势：

a)原装正品：德国赫尔纳贸易公司位于德国的诺伊.伊森堡（Neu-Isenburg距法兰克福市中心9公里），现有3名德国籍员工。
b)优势价格：我们得到的价格，都是德国客户的价格，保证了我们给国内客户提供的价格与德国客户相同。
c)货运优势：我公司每周都从法兰克福空运货物。这样备件产品在德国进行拼货发往国内，真正实现批购零采，不受订购金额和订购数量限制。
d)工业品代购：可能您自己询好了欧洲厂家的价格，但限于货物运输，报关等等限制，不希望自己来进口，这样就可以通过我们公司来代购。我们只收取简单的管理费用。

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产品简介在线询价

赫尔纳供应美国Xsis晶体振荡器CR55/U 3.7.4微电路模具应来自通过 MIL-PRF-38534级 K 级元件评定的批次。Xsis晶体振荡器此外，电离辐射测试应在本文第3.7.5段解释的振荡器水平上进行。

赫尔纳供应美国Xsis晶体振荡器CR55/U 产品信息

赫尔纳供应美国Xsis晶体振荡器CR55/U

赫尔纳贸易优势供应,美国总部直接采购，近30年进口工业品经验,原装产品,支持选型，为您提供一对一好的解决方案：货期稳定，快速报价，价格优，在中国设有8大办事处提供相关售后服务.

公司简介：

XSIS电子公司成立于1978年4月n。在XIS,我们门设计和制造晶体振荡器和晶体单位,用于空间,工业,电信和超高温井下应用。

Xsis晶体振荡器主要产品：

Xsis晶体振荡器

Xsis晶体振荡器产品型号：

CR55/U , CR60/U , CR61/U , CR64/U , CR67/U , CR69/U

Xsis晶体振荡器产品特点：

包装：90%Al2O3陶瓷，

密封：密封-抗气密性

焊接重量：0.15Gms

典型，0.2Gms.

热阻，连接到外壳(0C)：38 C/瓦特焊料回流

温度/时间：260°℃大值为10秒。

Xsis晶体振荡器产品应用：

Xsis晶体振荡器温晶体振荡器XIS电子提供高晶体振荡器在高温应用。XIS电子公司设计并加工了这些振荡器,以便在-55℃至230℃的扩展温度范围内工作。高温材料和经过验证的工艺被用来在温度下提供。

Xsis晶体振荡器用于老化的 PDA: 除非另有说明，用于老化的 PDA 应为2% 或1个振荡器，以大者为准，适用于 + 23 °C 至 + 25 °C 的静态测试。此外，台达计算应在老化后执行，并应计入 PDA。Xsis晶体振荡器测量值的三角洲计算应记录。超过规定的增量限值的部件将被拒绝并计入 PDA。

XIS电子制造的高温晶体振荡器是为高温和环境的应用而设计的,如,井下钻井测量,喷气发动机传感器,高温航空电子学,高温耦合高冲击和振动等。通过使用内部有工艺制造的精密石英晶体,在41年以上的军事(QLS)和空间应用晶体振荡器制造经验中开发和改进,实现了的良好频率老化特性。在操作温度范围内100%测试振荡器。

Xsis晶体振荡器总剂量辐射: 按照 MIL-STD-883方法1019，混合微电路晶体振荡器在暴露于100克拉德的吸收剂量辐射后，应能第3.6段的电气特性。包装: 陶瓷，90% 分钟。AL2O3.，重量: 0.4 Gms 大。热阻，θJC: 40 oC/瓦。完成: 1.27微米小镀金镍板。用 Sn60/Pb40钎料 perMIL-PRF-55310进行热钎料镀锡是可选的，但需要额外的成本。回流焊接: 在260 °C 下回流焊接10秒钟不会降低性能。3.3密封性: Xsis晶体振荡器电阻焊接，密封，泄漏率1(10)-8 atm-cc/s 大。3.4标记: 零件至少应标记 Xsis P/N、 Xsis 笼代码、 ESD 符号、日期代码和序列号。3.5大额定值: 除非另有规定，大额定值应如下: 电源电压 -0.5至 + 4.5 VDCOperating 空气温度范围 -55 oC 至 + 125 oC 储存温度 -55 oC 至 + 125 oC3.6Xsis晶体振荡器电气特性: 见表 I3.7杂化元素: 3.7.1石英晶体: 应使用高级培养石英晶体。作为一种选择，Xsis 将使用额外收费的优质 Q 扫频石英晶体。Xsis晶体振荡器晶体元件的评估应符合 MIL-PRF-55310。3.7.2水晶安装: 水晶元件应安装在4点，以便在本文规定的环境下提供足的坚固性和性能。3.7.3被动元件: 建立可靠性(ER) QPL 元件，应使用 R 小故障，或根据 MIL-PRF-55310，S 级，或 MIL-PRF-38534，附录 C，K 级适用的元件批量评估。3.7.4微电路模具应来自通过 MIL-PRF-38534级 K 级元件评定的批次。Xsis晶体振荡器此外，电离辐射测试应在本文第3.7.5段解释的振荡器水平上进行。