普赛斯硅基|碳化硅特性曲线测试设备,集多种测量和分析功能一体,可以精准测量IGBT功率半导体器件的静态参数,具有高电压和大电流特性、uQ级精确测量、n安级电流测量能力等特点。支持高压模式下测量功率器件结电容,如输入电容、输出电容、反向传输电容等。
设备特点和优势:
单台Z大3500V输出;
单台Z大1000输出,可并联后Z大6000A;
15us的超快电流上升沿;
同步测量;
国标全指标的自动化测试;
系统指标
项目 | 参数 | |
集电极-发射极 | Z大电压. | 3500V |
Z大电流 | 6000A | |
精度 | 0.10% | |
大电压上升沿 | 典型值5ms | |
大电流上升沿 | 典型值15us | |
大电流脉宽 | 50us~500us | |
漏电流测试量程 | 1nA~100mA | |
栅极-发射极 | Z大电压 | 300V |
Z大电流 | 1A(直流)/10A(脉冲) | |
精度 | 0.05% | |
Z小电压分辨率 | 30uV | |
Z小电流分辨率 | 10pA | |
电容测试 | 典型精度 | 0.5% |
频率范围 | 10Hz~1MHz | |
电容值范围 | 0.01pF~9.9999F | |
温控 | 范围 | 25℃~150℃ |
精度 | ±1℃ |
测试项目
集电极-发射极电压Vces,集电极-发射极击穿电压V(br)ces、集电极-发射极饱和电压Vcesat
集电极截止电流Ices、栅极漏电流Iges
栅极-发射极电压Vges、栅极-发射极阈值电压Vge(th)
输入电容、输出电容、反向传输电容
续流二极管压降Vf
I-V特性曲线扫描,C-V特性曲线扫描等
硅基|碳化硅特性曲线测试设备认准普赛斯仪表,普赛斯仪表专业研究和开发半导体材料与器件测试的专业智能装备,产品覆盖半导体领域从晶圆到器件生产全产业链。推出基于高精度数字源表(SMU)的第三代半导体功率器件静态参数测试方案,为SiC和GaN器件提供可靠的测试手段,实现功率半导体器件静态参数的高精度、高效率测量和分析。如果您对普赛斯功率半导体器件静态参数测试方案和国产化高精度源表感兴趣,欢迎随时联系我们!