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非绝缘型单可控硅模块

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  • 公司名称北京瑞达利电子科技有限公司
  • 品       牌
  • 型       号MT系列
  • 所  在  地
  • 厂商性质经销商
  • 更新时间2017/7/11 18:33:07
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  北京瑞达利电子科技有限公司成立于一九九四年十月,是一家集技、工、贸为一体的高技术企业,座落于北京上地信息产业基地.主要经营西码可控硅,三社可控硅,西门康可控硅,西门康IGBT,无感阻容吸收模块等电子产品,公司组成形式采用股份合作制,责、权、利充分统一,因此具有效率高、管理科学、经营灵活等优点.

  公司主要技术人员全部拥有高级职称,具有几十年的电力电子器件生产和使用经验.主要管理人员是功率半导体器件专业硕士毕业,具有*的理论造诣和丰富的实践经验,还获得清华大学工商管理硕士文凭.本公司专心电力电子技术,为广大用户提供优质的电力电子器件.

可控硅,可控硅模块,可控硅分立器件,IGBT模块,整流二极管,双晶闸管模块,可控硅触发电路,东芝IGBT模块,西门子集成模块,
● 非绝缘型,底板为一电极 ● 绝缘型,阴极阳极在模块顶端● 标准封装 ● 全压接结构,优良的温度特性,和功率循环能力
非绝缘型单可控硅模块 产品信息
特点典型应用说明
非绝缘型,底板为一电极 电焊机电源
VDSM/VRSM=VDRM/VRRM+200V
各种直流电源除非另作说明,IGT、VGT、IH、VTM、VISO为常温测试值,
标准封装 各种交直流电机控制表中其他参数皆为在Tjm下测试值。
全压接结构,优良的温度特性,和功率循环能力I2t=I2TSM × tw/2,tw=正弦半波电流底宽,
在50HZ下,I2t(10ms)=0.005I2TSM (A2S)。
   
MT
单可控硅(非绝缘型)
 
 
 
Type
IT (A)
VDRM
VRRM
IDRM
IRRM
ITSM
VTM
@ITM
IGT
VGT
IH
dv/dt
di/dt
Tjm
Rjc
VT0
rT
VISO
SA
outline
Type
@TC =85oC
(V)
(mA)
(KA)
(V)
(A)
(mA)
(V)
(mA)
(V/us)
(A/us)
(oC)
(oC/w)
(V)
(mΩ)
(V)
(cm2)
MT 100Y
100
600-2000
8
3.3
1.60
300
60
1.5
100
800
100
125
0.15
0.8
2.67
--
1000
DM2-25Y2
MT 100Y
MT 160Y
160
600-2500
12
5.3
1.60
480
70
1.5
100
800
100
125
0.10
0.8
1.67
--
1800
DM2-34Y2
MT 160Y
MT 200Y
200
600-2500
12
6.6
1.60
600
80
1.5
100
800
100
125
0.10
0.8
1.33
--
2200
DM4-53Y2
MT 200Y
MT 300Y
300
600-2500
15
7.0
1.65
900
80
1.5
100
800
100
125
0.10
0.8
0.94
--
2800
DM4-53Y2
MT 300Y
 
参数符号说明
di/dt 通态电流临界上升率dv/dt 断态电压临界上升率I2t 电流平方时间积IDRM 断态重复峰值电流IGT 门极触发电流IH 维持电流
IRRM 反向重复峰值电流IFAV 正向平均电流ITAV 通态平均电流IFM 正向峰值电流ITM 通态峰值电流IFSM 正向不重复浪涌电流
ITSM 通态不重复浪涌电流rF 正向斜率电阻rT 通态斜率电阻Rjc 结壳热阻SA *散热面积TC 壳温
Tjm zui高结温VDRM 断态重复峰值电压VDSM 断态不重复峰值电压VGT 门极触发电压VISO 绝缘电压VRRM 反向重复峰值电压
VRSM 反向不重复峰值电压VFM 正向峰值电压VTM 通态峰值电压VFO 正向门槛电压VTO 通态门槛电压outline 外形
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