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详细内容
■ 常温型铟镓砷探测器（InGaAs）
———常温型近红外探测器，波长范围：0.8-1.7μm
三种常温型铟镓砷探测器DInGaAs1600/ DInGaAs1650/ DInGaAs1700具有相同的外观设计，其中：
◆ DInGaAs1600型内装国产小面积InGaAs探测元件（光谱响应度曲线参考图1）
◆ DInGaAs1650型内装国产大面积InGaAs探测元件（光谱响应度曲线参考图2）
◆ DInGaAs1700型内装进口大面积InGaAs探测元件（光谱响应度曲线参考图3）
型号列表及主要技术指标：
| 参 数 | 测试条件 | DInGaAs1600 | 测试条件 | DInGaAs1650 | 测试条件 | DInGaAs1700 | ||||||
| *小值 | 典型值 | 值 | *小值 | 典型值 | 值 | *小值 | 典型值 | 值 | ||||
| 光敏面直径（mm） | | 1.5 | | 5 | | 5 | ||||||
| 光谱响应 | | 900-1600 | | 800-1650 | | 800-1700 | ||||||
| 范围（nm） | ||||||||||||
| 响应度Re（A/W） | | | | | | | | | @850nm | 0.1 | 0.2 | |
| VR=0V @1300nm | 0.8 | 0.85 | - | VR=10mV @1310nm | - | 0.75 | - | @1300nm | 0.8 | 0.9 | | |
| VR=0V | 0.85 | 0.9 | - | VR=10mV @1550nm | - | 0.8 | - | 峰值@1550nm | | 0.95 | | |
| @1550nm | ||||||||||||
| 暗电流Io（nA） | VR=0V | | 0.1 | 1 | | | 10 | | VR=0V | | 5 | 10 |
| NEP （pW Hz-1/2） | | | | | | | | | @1550nm | 0.28 | | |
| 信号输出 模式 | | 电流 | | 电流 | | 电流 | ||||||
| 输出信号 极性 | | 正（P） | | 正（P） | | 正（P） | ||||||
■ TE制冷型铟镓砷探测器（InGaAs）
——TE制冷型近红外探测器，波长范围：0.8-2.6μm
TE制冷型铟镓砷探测器DInGaAs（x）-TE具有相同的外观设计，其中x-1700/ 1900/ 2200/ 2400/ 2600，均采用进口二级TE制冷铟镓砷探测元件，光谱响应曲线参考图如下：
——TE制冷型近红外探测器，波长范围：0.8-2.6μm
TE制冷型铟镓砷探测器DInGaAs（x）-TE具有相同的外观设计，其中x-1700/ 1900/ 2200/ 2400/ 2600，均采用进口二级TE制冷铟镓砷探测元件，光谱响应曲线参考图如下：
型号列表及主要技术指标：
| 型号/参数 | DInGaAs1700-TE | DInGaAs1900-TE | DInGaAs2200-TE | DInGaAs2400-TE | DInGaAs2600-TE |
| 光敏面直径（mm） | 3 | 3 | 3 | 3 | 3 |
| 波长范围（nm） | 800-1700 | 800-1900 | 800-2200 | 800-2400 | 800-2600 |
| 峰值响应度（A/W） | 0.9 | 1 | 1.1 | 1.15 | 1.2 |
| D*（典型值） | 8.4×1013 | 9.1×1012 | 1.9×1012 | 9.6×1011 | 4.9×1011 |
| NEP（典型值） | 3.2×10-15 | 2.9×10-14 | 1.4×10-13 | 2.8×10-13 | 5.5×10-13 |
| 温控器型号 | ZTC | ZTC | ZTC | ZTC | ZTC |
| 探测器温度（℃） | -40 | -40 | -40 | -40 | -40 |
| 温度稳定度（℃） | ±0.5 | ±0.5 | ±0.5 | ±0.5 | ±0.5 |
| 环境温度（℃） | +10~+40 | +10~+40 | +10~+40 | +10~+40 | +10~+40 |
| 信号输出模式 | 电流 | 电流 | 电流 | 电流 | 电流 |
| 输出信号极性 | 正（P） | 正（P） | 正（P） | 正（P） | 正（P） |
| 备注 | 制冷模式时须使用温控器（型号：ZTC） 推荐使用前置放大器型号：ZPA-7 | ||||
铟镓砷探测器使用建议：
● DInGaAs系列和DInGaAs-TE系列铟镓砷探测器均为电流输出模式的光电探测器，在接入示波器、锁相放大器等要求电压输入的信号处理器前，建议采用I-V跨导放大器ZPA-7（Page85）做为前级放大并转换为电压信号；标明可输入电流信号的信号处理器可直接接入信号，但仍建议增加前置放大器以提高探测灵敏度；
● DInGaAs系列和DInGaAs-TE系列铟镓砷探测器配合DCS103数据采集系统（Page95）使用时，建议采用I-V跨导放大器以提高探测灵敏度；
● DInGaAs系列和DInGaAs-TE系列铟镓砷探测器配合DCS300PA数据采集系统（Page95）使用时，由于DCS300PA双通道已集成信号放大器，故可不再需要另行选配前置放大器；
● 制冷型DInGaAs-TE系列铟镓砷探测，在制冷模式时须使用温控器（型号：ZTC）进行降温控制；
● DInGaAs系列和DInGaAs-TE系列铟镓砷探测器均为电流输出模式的光电探测器，在接入示波器、锁相放大器等要求电压输入的信号处理器前，建议采用I-V跨导放大器ZPA-7（Page85）做为前级放大并转换为电压信号；标明可输入电流信号的信号处理器可直接接入信号，但仍建议增加前置放大器以提高探测灵敏度；
● DInGaAs系列和DInGaAs-TE系列铟镓砷探测器配合DCS103数据采集系统（Page95）使用时，建议采用I-V跨导放大器以提高探测灵敏度；
● DInGaAs系列和DInGaAs-TE系列铟镓砷探测器配合DCS300PA数据采集系统（Page95）使用时，由于DCS300PA双通道已集成信号放大器，故可不再需要另行选配前置放大器；
● 制冷型DInGaAs-TE系列铟镓砷探测，在制冷模式时须使用温控器（型号：ZTC）进行降温控制；
