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apd暗电流测试精密源表

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  • 公司名称武汉普赛斯仪表有限公司
  • 品       牌普赛斯仪表
  • 型       号S200B
  • 所  在  地武汉市
  • 厂商性质生产厂家
  • 更新时间2024/3/18 9:26:03
  • 访问次数119
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       武汉普赛斯仪表有限公司是武汉普赛斯电子技术有限公司的全资子公司,一直专注于半导体的性能测试仪表的开发、生产销售,致力于满足半导体领域从材料、晶圆到器件测试用科学仪器的国产替代需求。

       基于普赛斯电子岭先的光学与光电技术、微弱信号处理与抗干扰技术、高速数字信号处理、核心算法与系统集成等技术平台优势,公司自主研发了高精度台式数字源表、脉冲式源表、窄脉冲电流源、集成插卡式源表、高精度超大电流源、高精度高压电源、数据采集卡等国产化电性能测试仪表,以及mini LED测试系统、电流传感器测试系统、功率器件静态参数测试系统等。产品以其测试精度高、速度快、兼容性强、测试范围宽、可靠性高、操作简便以及快捷灵活的响应式服务等优势,广泛应用于新型半导体器件材料分析、半导体分立器件测试、集成电路测试、高校教学实训平台等应用;为客户提供模块化硬件、高效驱动程序和高效算法软件组合,帮助用户构建自定义解决方案,同时满足行业对测试效率、测试精度、供应链安全以及规模化的挑战。

普赛斯仪表自主研制的国产化数字源表,可作为电压源和或电流源并同步测量电流和或电压,支持四象限工作。作为国内岭跑的半导体电性能测试仪表提供商,普赛斯仪表凭借长期的技术创新、精益的生产制造、严格的质量体系及国际化视野,推出的产品被国内通信巨图和多家之名半导体企业认可和应用是为数不多进入国际半导体测试市场供应链体系的半导体电性能测试设备厂商。未来,公司将继续以“为客户提供醉优质的产品与Z贴心的服务”为宗旨,朝着圈球半导体电性能测试仪表的岭跑者迈进。

 


数字源表,脉冲恒流源,脉冲恒压源,高压源,大功率激光器老化系统,功率器件静态测试系统
测试范围 0~300V/0~3A 测试精度 0.03%
最大输出功率 30W
在APD的光电特性中,暗电流是一个重要的参数。暗电流是指在没有光照射的情况下,APD中由于热激发等原因导致的电子漂移和电子-空穴对产生而产生的电流,暗电流测试的准确性对于评估APD的性能和稳定性非常重要,apd暗电流测试精密源表认准普赛斯仪表
apd暗电流测试精密源表 产品信息

01


APD工作原理

       APD雪崩光电二极管的工作原理是基于光电效应和雪崩效应,当光子被吸收时,会产生电子空穴对,空穴向P区移动,电子向N区移动,由于电场的作用,电子与空穴相遇时会产生二次电子,形成雪崩效应,从而使电荷载流子数目增加,电流增大,实现光电转换。

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图:APD工作原理


02


APD测试挑战

在APD的光电特性中,暗电流是一个重要的参数。暗电流是指在没有光照射的情况下,APD中由于热激发等原因导致的电子漂移和电子-空穴对产生而产生的电流,暗电流测试的准确性对于评估APD的性能和稳定性非常重要。在进行APD暗电流测试时,通常面临如下挑战:


测试环境影响


在进行暗电流测试时,需要确保测试环境中没有光照射,光照会激发APD中的载流子,导致暗电流的增加,从而影响测试结果的准确性。

连接电路影响


暗电流的测试通常需要提供一个反向偏压,纵观目前的电流表和电流计,都不具备提供偏压的功能,因此必须在电流表的回路中加入电压源。但这样会使测试系统变得复杂,引入更多干扰条件,导致暗电流的测试精度无法保证。


03


APD暗电流测试解决方案

       目前暗电流测试的最佳工具之一是数字源表(SMU),数字源表可作为独立的恒压源或恒流源、伏特计、安培计和欧姆表,还可用作精密电子负载,其高性能架构还允许将其用作脉冲发生器、 波形发生器和自动电流-电压(I-V)特性分析系统,支持四象限工作,apd暗电流测试精密源表认准普赛斯仪表


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采用apd暗电流测试精密源表进行暗电流测试时,需要注意以下事项:

三同轴线缆连接

APD暗电流测试连接线通常会选择使用低噪声、低电阻的导线,三同轴线缆具有良好的导电性能和抗干扰能力,适合用于传输微弱信号,可以减少测试过程中的干扰和误差。


如下图三同轴线缆的半剖图,多层绝缘屏蔽具有良好的抗干扰能力。

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图:三同轴线缆半剖图

(1导体;2绝缘;3内屏蔽层;4中间层;5外屏蔽层;6外护套)

屏蔽外部电磁信号干扰

测试系统架构图如下图所示,数字源表(SMU)连接到光电二极管上,该光电二极管安放在一个电屏蔽的暗箱中,为了对敏感的电流测量进行屏蔽使其不受外部干扰的影响,通过将屏蔽箱与数字源表(SMU)的低端相连,可以形成一个封闭的金属屏蔽环境,有效地阻止外部电磁干扰信号的进入,保护测试信号的准确性和稳定性。

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图:测试系统架构

预留充足的测量时间

在进行暗电流测试时,需要考虑测试时间的长短。通常情况下,这种现象可能是由于APD内部的一些因素导致的,例如载流子的生成和收集过程。随着测试时间的推移,由于暗电流源的累积或者其他因素的影响,暗电流会逐渐增加至一个稳定的数值。


此外,对于测量得到的暗电流数据,需要进行适当的处理和分析,以确保测试结果的准确可靠。下图为普赛斯数字源表(SMU)测试完成后,上位机软件通过数据处理给出的测试结果以及测试曲线。














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图:测试结果



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图:测试曲线





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