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功率器件测试机igbt模块测试仪

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  • 公司名称武汉普赛斯仪表有限公司
  • 品       牌普赛斯仪表
  • 型       号PMST-8000V
  • 所  在  地武汉市
  • 厂商性质生产厂家
  • 更新时间2024/4/26 9:55:33
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       武汉普赛斯仪表有限公司是武汉普赛斯电子技术有限公司的全资子公司,一直专注于半导体的性能测试仪表的开发、生产销售,致力于满足半导体领域从材料、晶圆到器件测试用科学仪器的国产替代需求。

       基于普赛斯电子岭先的光学与光电技术、微弱信号处理与抗干扰技术、高速数字信号处理、核心算法与系统集成等技术平台优势,公司自主研发了高精度台式数字源表、脉冲式源表、窄脉冲电流源、集成插卡式源表、高精度超大电流源、高精度高压电源、数据采集卡等国产化电性能测试仪表,以及mini LED测试系统、电流传感器测试系统、功率器件静态参数测试系统等。产品以其测试精度高、速度快、兼容性强、测试范围宽、可靠性高、操作简便以及快捷灵活的响应式服务等优势,广泛应用于新型半导体器件材料分析、半导体分立器件测试、集成电路测试、高校教学实训平台等应用;为客户提供模块化硬件、高效驱动程序和高效算法软件组合,帮助用户构建自定义解决方案,同时满足行业对测试效率、测试精度、供应链安全以及规模化的挑战。

普赛斯仪表自主研制的国产化数字源表,可作为电压源和或电流源并同步测量电流和或电压,支持四象限工作。作为国内岭跑的半导体电性能测试仪表提供商,普赛斯仪表凭借长期的技术创新、精益的生产制造、严格的质量体系及国际化视野,推出的产品被国内通信巨图和多家之名半导体企业认可和应用是为数不多进入国际半导体测试市场供应链体系的半导体电性能测试设备厂商。未来,公司将继续以“为客户提供醉优质的产品与Z贴心的服务”为宗旨,朝着圈球半导体电性能测试仪表的岭跑者迈进。

 


数字源表,脉冲恒流源,脉冲恒压源,高压源,大功率激光器老化系统,功率器件静态测试系统
武汉普赛斯仪表有限公司,是一家专注于半导体的电性能测试仪表的开发、生产与销售的研发型高新技术企业。公司以源表为核心产品,专注于第三代半导体测试,提供从材料、晶圆、器件的全系列解决方案。功率器件测试机igbt模块测试仪就找普赛斯仪表
功率器件测试机igbt模块测试仪 产品信息

武汉普赛斯仪表有限公司,是一家专注于半导体的电性能测试仪表的开发、生产与销售的研发型高新技术企业。公司以源表为核心产品,专注于第三代半导体测试,提供从材料、晶圆、器件的全系列解决方案。

未来,普赛斯仪表基于国产化高精度数字源表(SMU)的测试方案,以更优的测试能力、更准确的测量结果、更高的可靠性与更全面的测试能力,联合更多行业客户,共同助力我国第三代半导体行业高可靠高质量发展


功率器件测试机igbt模块测试仪解决方案            

       为应对各行各业对功率器件的测试需求,武汉普赛斯正向设计、精益打造了一款高精密电压-电流的功率半导体器件测试系统,可提供IVCV跨导等丰富功能的综合测试,具有高精度、宽测量范围、模块化设计、轻松升级扩展等优势,旨在全面满足从基础功率二极管、MOSFET、BJT、IGBT到宽禁带半导体SiC、GaN等晶圆、芯片、器件及模块的静态参数表征和测试需求。系统采用模块化集成的设计结构,为用户后续灵活添加或升级测量模块提供了极大便捷和优性价比,提高测试效率以及产线UPH。    

   

       功率半导体器件测试系统支持交互式手动操作或结合探针台的自动操作,能够在从测量设置和执行到结果分析和数据管理的整个表征过程中实现高效和可重复的器件表征。也可与高低温箱、温控模块等搭配使用,满足高低温测试需求。    


功率器件测试机igbt模块测试仪    


        功率半导体器件测试系统主机内部采用的电压、电流测量单元,均采用多量程设计,测试精度为0.1%。其中,栅极-发射极,Z大支持30V@10A脉冲电流输出与测试,可测试低至pA漏电流;集电极-发射极,Z大支持6000A高速脉冲电流,典型上升时间为15μs,且具备电压高速同步采样功能;Z高支持 3500V(可扩展至10kV)电压输出,且自带漏电流测量功能。电容特性测试,包括输入电容,输出电容,以及反向传输电容测试,频率Z高支持1MHz,可灵活选配。    


系统优势/Feature                            

PART                    

01                    

IGBT等大功率器件由于其功率特点极易产生大量热量,施加应力时间长,温度迅速上升,严重时会使器件损坏,且不符合器件工作特性。普赛斯高压模块建立的时间小于5ms,在测试过程中能够减少待测物加电时间的发热                    


                   

功率器件测试机igbt模块测试仪                        

PART                    

02                    

高压下漏电流的测试能力,测试覆盖率优于国际品牌。市面上绝大多数器件的规格书显示,小模块在高温测试时漏电流一般大于5mA,而车规级三相半桥高温下漏电大于50mA。以HITACH  Spec.No.IGBT-SP-05015 R3规格书为例:3300V,125℃测试条件下ICES典型值14mA,Z大40mA。普赛斯静态系统高压模块测试几乎可以W美应对所有类型器件的漏电流测试需求。

PART                    

03                    

此外,VCE(sat)测试是表征  IGBT  导通功耗的主要参数,对开关功耗也有一定的影响。需要使用高速窄脉冲电流源,脉冲上升沿速度要足够快时才能减小器件发热,同时设备需要有同步采样电压功能。


                   

IGBT静态测试系统大电流模块:50us—500us  的可调电流脉宽,上升边沿在 15us(典型值),减少待测物在测试过程中的发热,使测试结果更加准确。下图为 1000A  波形:


                   


               

PART                    

04                    

快速灵活的客制化夹具解决方案:强大的测试夹具解决方案对于保证操作人员安全和支持各种功率器件封装类型极为重要。不论器件的大小或形状如何,普赛斯均可以快速响应用户需求,提供灵活的客制化夹具方案。夹具具有低阻抗、安装简单、种类丰富等特点,可用于二极管、三极管、场效应晶体管、IGBT、SiC  MOS、GaN等单管,模组类产品的测试。


功率器件测试机igbt模块测试仪                            

结束语                            


功率半导体器件测试系统作为J端产品,以往在国际市场上只被少数企业掌握。全球半导体产业的发展以及先进半导体制造设备保有国出口管制的升级,对国产设备厂家来说既是挑战也是机遇。未来,武汉普赛斯将充分发挥自身的技术和创新优势,持续推动J端产品落地应用,真正做到以技术创造更多价值。功率半导体测试设备龙头就找武汉普赛斯仪表


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