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SiC功率器件测试设备

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  • 公司名称武汉普赛斯仪表有限公司
  • 品       牌普赛斯仪表
  • 型       号PMST-8000V
  • 所  在  地武汉市
  • 厂商性质生产厂家
  • 更新时间2024/4/8 9:47:27
  • 访问次数126
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       武汉普赛斯仪表有限公司是武汉普赛斯电子技术有限公司的全资子公司,一直专注于半导体的性能测试仪表的开发、生产销售,致力于满足半导体领域从材料、晶圆到器件测试用科学仪器的国产替代需求。

       基于普赛斯电子岭先的光学与光电技术、微弱信号处理与抗干扰技术、高速数字信号处理、核心算法与系统集成等技术平台优势,公司自主研发了高精度台式数字源表、脉冲式源表、窄脉冲电流源、集成插卡式源表、高精度超大电流源、高精度高压电源、数据采集卡等国产化电性能测试仪表,以及mini LED测试系统、电流传感器测试系统、功率器件静态参数测试系统等。产品以其测试精度高、速度快、兼容性强、测试范围宽、可靠性高、操作简便以及快捷灵活的响应式服务等优势,广泛应用于新型半导体器件材料分析、半导体分立器件测试、集成电路测试、高校教学实训平台等应用;为客户提供模块化硬件、高效驱动程序和高效算法软件组合,帮助用户构建自定义解决方案,同时满足行业对测试效率、测试精度、供应链安全以及规模化的挑战。

普赛斯仪表自主研制的国产化数字源表,可作为电压源和或电流源并同步测量电流和或电压,支持四象限工作。作为国内岭跑的半导体电性能测试仪表提供商,普赛斯仪表凭借长期的技术创新、精益的生产制造、严格的质量体系及国际化视野,推出的产品被国内通信巨图和多家之名半导体企业认可和应用是为数不多进入国际半导体测试市场供应链体系的半导体电性能测试设备厂商。未来,公司将继续以“为客户提供醉优质的产品与Z贴心的服务”为宗旨,朝着圈球半导体电性能测试仪表的岭跑者迈进。

 


数字源表,脉冲恒流源,脉冲恒压源,高压源,大功率激光器老化系统,功率器件静态测试系统
普赛斯SiC功率器件测试设备,集多种测量和分析功能一体,可以精准测量IGBT功率半导体器件的静态参数,具有高电压和大电流特性、uQ级精确测量、纳安级电流测量能力等特点。支持高压模式下测量功率器件结电容,如输入电容、输出电容、反向传输电容等。
SiC功率器件测试设备 产品信息

普赛斯仪表专业研究和开发半导体材料与器件测试的专业智能装备,产品覆盖半导体领域从晶圆到器件生产全产业链。推出基于高精度数字源表(SMU)的第三代半导体功率器件静态参数测试方案,为SiC和GaN器件提供可靠的测试手段,实现功率半导体器件静态参数的高精度、高效率测量和分析。如果您对SiC功率器件测试设备感兴趣,欢迎随时联系我们!

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“双高”系统优势

    高电压、大电流

    具有高电压测量/输出能力,电压高达3500V(最大可扩展至10kV)

    具有大电流测量/输出能力,电流高达6000A(多模块并联)


    高精度测量

    纳安漏电流, μΩ级导通电阻

    0.1%精度测量


    模块化配置

    可根据实际测试需要灵活配置多种测量单元系统预留升级空间,后期可添加或升级测量单元


    测试效率高

    内置专用开关矩阵,根据测试项目自动切换电路与测量单元

    支持国标全指标的一键测试


    扩展性好

    支持常温及高温测试可灵活定制各种夹具


SiC功率器件测试设备测试项目
集电极-发射极电压Vces,集电极-发射极击穿电压V(br)ces、集电极-发射极饱和电压Vcesat
集电极截止电流Ices、栅极漏电流Iges
栅极-发射极电压Vges、栅极-发射极阈值电压Vge(th)
输入电容、输出电容、反向传输电容
续流二极管压降Vf
I-V特性曲线扫描,C-V特性曲线扫描等

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关键词:功率器件
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