测量原理
激光干涉法适用范围 可用于测量工件尺寸为 Φ2---Φ8(INCH)直径的圆型晶片
测量精度及量程
1、关于厚度
厚度量程:100---2000um,测量精度与 WAFER 表面光洁度有关,即: 测量重复精度(砷化镓等二代半导体类双拋表面 WAFER):±0.3um ; 测量重复精度(碳化硅等三代半导体类研磨表面 WAFER): ±0.5um ; 测量重复精度(蓝宝石类单拋表面 WAFER):±0.5um ; 2、关于平面度/表面形态参数测量精度 |
测量精度:±0.06μm 重复性精度:±0.03μm 分辨率:±0.005μm
像素点数:≥250000 3、分选速度
为了保证不造成对 WAFER 表面造成损伤,研究人员建议的安全分选速度为: 100 片/小时左右。