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EE-SX1340 红外光电传感器

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公司名称深圳鞍点科技有限公司
品牌
型号
所在地深圳市
厂商性质经销商
更新时间2024/10/21 8:53:08
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公司介绍主营产品

深圳市鞍点科技有限公司是一家专业的电子零件供应商，拥有*的技术工程师和丰富的电子产品销售经验。目前代理美国、德国、日本共五家公司（MDI 、 MEDER 、OMRON 欧姆龙、 HENGSTLER 、STENCOR ）的产品。主要产品有：水银继电器、干簧继电器、安全继电器、汽车继电器、信号继电器、高频继电器、光耦继电器（光电继电器 MOS FET）、功率继电器、固态继电器、时间继电器、基本开关、接触开关、倾斜开关、浮球开关、干簧开关、干簧传感器、水银接触器、直流接触器等。广泛服务于工业控制、电气设备制造、机械设备制造、仪器仪表、通讯器械、工业器械、医疗器械、安全系统、家电、办公自动化、监测系统、起重设备、汽车制造、机车信号、照明设备、电容检测设备、直交流高压控制设备等领域。如果有您需要的型号请与我们联系

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主要产品有：水银继电器、干簧继电器、安全继电器、汽车继电器、信号继电器、高频继电器、光耦继电器（光电继电器 MOS FET）、功率继电器、固态继电器、时间继电器、基本开关、接触开关、倾斜开关、浮球开关、干簧开关、干簧传感器、水银接触器、直流接触器等。

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AbsoluteMaximumRatings(Ta=25?C)ItemSymbolRatedvalueUnitRemarksEmitterForwardcurrentIF30mA---*1PulseforwardcurrentIFP100mADutyratio:1%Pulswidth:0

EE-SX1340 红外光电传感器产品信息

Absolute Maximum Ratings (Ta = 25?C)

Item		Symbol	Rated value	Unit	Remarks
Emitter	Forward current	I_F	30	mA	--- *1
	Pulse forward current	I_FP	100	mA	Duty ratio: 1% Puls width: 0.1 ms
	Reverse voltage	V_R	4	V	---
Detector	Collector-Emitter voltage	V_CEO	12	V	---
	Emitter-Collector voltage	V_ECO	5	V	---
	Collector current	I_C	20	mA	---
	Collector dissipation	P_C	50	mW	--- *1
Operating temperature		T_opr	-30 to 85	?C	--- *1
Storage temperature		T_stg	-40 to 100	?C	--- *1
Reflow soldering temperature		T_sol	255	?C	10 sec. max. *2

*1.	Continuous Forward Current and Collector Power Dissipation must be derated complying. The product should be used without freezing or condensation.
*2.	In case of reflow soldering, conditions which are shown at the temperature profile should be kept.

Electrical and Optical Characteristics (Ta = 25?C)

Item		Symbol	Value			Unit	Condition
Item		Symbol	MIN.	TYP.	MAX.	Unit	Condition
Emitter	Forward voltage	V_F	---	1.2	1.5	V	I_F = 30mA
	Reverse current	I_R	---	0.01	10	?A	V_R = 4V
	Peak emission wavelength	λ_P	---	940	---	nm	I_F = 20mA
Detector	Light current	I_L	0.55	---	5.5	mA	I_F = 20mA, V_CE = 10V
	Dark current	I_D	---	10	200	nA	V_CE = 10V, 0×
	Collector-Emitter saturated voltage	V_CE (sat)	---	0.1	0.4	V	I_F = 20mA, I_L =0.1mA
	Peak spectral sensitivity wavelength	λ_P	---	900	---	nm	V_CE = 5V
Rising time		tr	---	11	---	?s	V_CC = 5V, R_L = 100Ω, I_L = 1mA *
Falling time		tf	---	14	---	?s	V_CC = 5V, R_L = 100Ω, I_L = 1mA *