MOS管参数测试仪

参考价	¥ 1
订货量	≥1套

具体成交价以合同协议为准

公司名称西安中昊芯测科技有限公司
品牌其他品牌
型号SC2015
所在地西安市
厂商性质生产厂家
更新时间2025/3/7 18:17:10
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产品标签:

场效应管参数测试仪分立器件参数测试器件测试台式机半导体分立器件静态直流参数测试系统

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公司介绍主营产品

西安中昊芯测科技有限公司，是一家专业从事半导体电性能测试设备开发制造、电参数测试方案搭建、综合测试分析服务于一体的技术服务型企业，

核心业务为半导体分立器件电学参数测试设备的开发制造，产品主要涉及分立器件测试仪、MOS管测试仪、IGBT测试仪、晶闸管测试仪、光耦测试仪、

继电器测试仪、功率循环、环境老化、雪崩浪涌等测试系统，产品具有高速智能、高精度、宽量程等技术优势，已经广泛应用于高校、科院院所、家电、

新能源汽车、轨道交通、半导体器件设计制造公司的器件测试验证、参数评估、电子厂来料检验、实验室失效分析、器件选型、参数配对、寿命预估等诸多领域。

同时提供高性价比的器件测试服务，测试项目包括功率半导体器件的电学测试、失效分析、可靠性、环境试验等。

我司与西安电力电子所，西安交通大学微电子学院有着深度合作关系，在半导电测试领域有着超过10年的行业经验。本着科技创新，服务无限的经营理念，

我司积极响应国家提出的中国制造2025战略，致力于提供高性能、低成本的国产测试设备，为我国半导体测试设备国产化贡献一份微薄力量！

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半导体分立器件测试系统，晶体管静态参数测试仪，美国STI5000系列测试机维修、计量校准、夹具定制等相关技术服务，非标测试方案搭建！

产品简介在线询价

IGBT静态参数测试仪SC5016可用于多种封装形式的大功率二极管、大功率IGBT模块、大功率双极型晶体管，也可用于中小功率单管测试，几乎可以测试1600A（可扩展至2000A），5000V以下的各种功率器件，还可用测试标准低阻值电阻，广泛应用于轨道交通，电动汽车，风力发电，变频器，焊机行业的IGBT来料选型和失效分析，可实现在线IGBT测试。

MOS管参数测试仪产品信息

MOS管参数测试仪SC2015

一、产品简介/特点：

MOS管参数测试仪SC2015主要用于中小电子产品企业对场效应管或IGBT的批量测量，筛选，非常适合来料检验使用。
1、采用高精度AD，满足测量精度，而高速微处理器和电子开关，使测量工作迅速、高效、宁静。采用脉冲测量法，可以提供10A~75A以上的测试电流，而不会使被测管子发热。有自动均流功能，确保被测管安全。
2、有自检功能、测量判断功能以及故障报警指示功能，当不是Vmos管时或错插等，测量不能继续。在测量前后，测量插座栅源之间是短路状态，以确保被测量管插入或拔出管座时的安全。
3、有20A~150A容量选择，即便是选错电流档用电流测量小容量管子，也不会损害被测管。
4、您可以按需要设定分选参数范围。可设定的有：开启电压Ut、跨导Gfs、通态电阻Ron以及极间电容Cir的下限和上限。对于超限的测量，蜂鸣器会报警，并且哪个参数超限，会闪烁提示，用户可以不大理会符合标准的参数具体数据，只在报警时注意闪烁的参数，这样极大的方便了工业批量测量。
5、使用简单，不需要专业知识。

6、规格尺寸240*350*130mm（宽*深*高），桌面小台式结构，采用铝合金冷拉型板为框架，支脚可调。

7、工作台有TO220和3P插座，面板设有容量选择，以及220/3P选择，方便用户使用。
二、性能指标：
1、测量VMOS管可同时显示：
通态电阻Ron：1~999mΩ (超过999 mΩ时，自动转为9.99Ω挡)
　跨导Gfs：0~99.9S

耐压Bv：0~1999V
　开启电压Ut：0~12V
　极间电容Cir：0.1~9.9 (np)

通态电流Id:0-129.9V
2、如果您需要，通过辅助功能键，还可以得到：
　a、Cir 1% nP精度；
　b、Ut 1%V 精度；
　c、测量Ron时的： Ids(max A),Vds(min V)；
d、以及测量Ggs时：Ids(A),Vds(V),Vgs(V)；
3、10位LED显示。
4、设备供电160V~230V 正常工作。
三、测试参数：