有效直径 | 50um |
带宽 | 2000MHz |
暗电流 | 25/<50 nA |
增益 | 10 |
探测直径 | 50um |
响应 | >7.9/8.9 A/W @1300 nm, >8.1/9.4 A/W@1550 nm |
温度系数 | 0.20 V/°C |
波长范围 | 1100-1700nm |
击穿电压 | 60V |
峰值波长灵敏度 | 1550nm |
光敏直径 | 80um |
电容 | 0.6/<0.8 pF |
封装 | TO-18 |
VOP范围 | 40-90V |
产品简介
InGaAs雪崩光电二极管可以实现从1100nm到1700nm的高量子效率探测,并且在该波段内可以保持高增益、高量子效率和高带宽,光敏面尺寸可高达200μm。窗口和光敏面之间距离较短以便于连接光学系统。
产品特性
■ InGaAs的APD为80μm
■ TO-18的封装
■ 光谱响应1100nm-1700nm
■ 低噪声和黑暗电流
■ 高增益
■ 高量子效率
■ 2.5GHz带宽
应用领域:
■ 激光测距
■ 视频扫描成像仪
■ 光通讯
■ 自由空间通讯
■ 分光光度计