CVD碳化硅衬底单层石墨烯

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产品编号：
11110365316
产品名称：
| CVD SiC衬底单层石墨烯
规 格：
产品备注：
产品类别：
石墨烯系列产品
 
   产 品 说 明
通常，石墨烯大多是在金属表面上用CVD技术生长的，在微电子或电子器件的应用中不得不将其从导电的金属上用化学方法剥离，将其置于分离的衬底上再应用。这在器件的制备上存在很大的局限性，而在半绝缘(高阻)SiC衬底上生长的石墨烯可以直接用来制备电子器件，如高频电子器件、光电子器件及量子器件等，尤其是在SiC衬底上用CVD技术生长的石墨烯与CMOS工艺兼容，因而无需进行衬底转移，即可应用于电子器件研制。
在4H和6H型SiC衬底上生长单层/双层和三层石墨烯
晶型
晶体性质
石墨烯生长面
石墨烯
4H-SiC
半绝缘型
4H-SiC的Si面
4H-SiC的C面
P型或N型
4H-SiC
导电型
4H-SiC的Si面
4H-SiC的C面
—
6H-SiC
半绝缘型
6H-SiC的Si面
6H-SiC的C面
P型或N型
6H-SiC
导电型
6H-SiC的Si面
6H-SiC的C面
—
标准尺寸
10mmx10mm，15mmx15mm，2英寸x 2英寸，4英寸x 4英寸
标准尺寸
φ2英寸，φ3英寸，φ4英寸，φ5英寸，φ6英寸
定制尺寸
根据客户要求
 
描述：
● 生长方法：CVD生长
● 覆盖率：*
● 石墨烯层数：1层，2层，3层
● 单层厚度：0.345 nm
● 载流子密度：N型5x1011-1.5x1013cm-2，P型1x1013-1.5x1013cm-2
● N型迁移率：3000 cm2/Vs
● P型迁移率：可达6500乃至8000 cm2/Vs(温度：300K)
 
应用
● 高频电子器件
● 光电子器件
● 量子器件
● 自旋电子学
● 光电探测器
● 新碳电子学
● 石墨烯半导体芯片
● 石墨烯计算机存储器
● 生物技术
● 生物传感器

● 气体传感器

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