清洗超纯水设备
在单晶硅/多晶硅/硅材料/太阳能电池硅片、半导体器件生产中硅片须经严格清洗。微量污染也会导致器件失效。清洗的目的在于清除表面污染杂质,包括有机物和无机物。这些杂质有的以原子状态或离子状态,有的以薄膜形式或颗粒形式存在于硅片表面。有机污染包括光刻胶、有机溶剂残留物、合成蜡和人接触器件、工具、器皿带来的油脂或纤维。无机污染包括重金属金、铜、铁、铬等,严重影响少数载流子寿命和表面电导;碱金属如钠等,引起严重漏电;颗粒污染包括硅渣、尘埃、细菌、微生物、有机胶体纤维等,会导致各种缺陷。所以单晶硅/多晶硅/硅材料/太阳能电池硅片、半导体器件生产中必须用超纯水,目前制取超纯水工艺可分为反渗透+混床超纯水设备,二是反渗透+EDI超纯水设备,这是两种制取超纯水设备常用的工艺。清洗超纯水设备主要用于清洗硅片,另有少量用于药液配制,硅片氧化的水汽源,部分设备的冷却水,配制电镀液等。水中的碱金属(K、Na等)会使绝缘膜耐压不良,重金属(Au、Ag、Cu等)会使PN结耐压降低,III族元素(B、Al、Ga等)会使N型半导体特性恶化,V族素(P、As、Sb等)会使P型半导体特性恶化,水中细菌高温碳化后的磷(约占灰分的20%~50%)会使P型硅片上的局部区域变化为N型硅而导致器件性能变坏。水中的颗粒(包括细菌)如吸附在硅片表面,就会引起电路短路或特性变差。
超纯水中杂质的污染源
1.水源的影响
由于水是一种溶解能力很强的溶剂,因此天然水中含有各种盐类和化合物,溶有CO2, 还有胶体(包括硅胶和腐殖质胶体),天然水中还存在大量的非溶解性质,包括粘土、砂石、细菌、微生物、藻类、浮游生物、热源等。
2.材料的影响
制备超纯水的材料设备的材质都是用金属和塑料制成的,金属在水中会有痕量溶解,造成金属离子污染。一些高分子材料,在合成时常常加入各种添加剂、增塑剂、紫外吸光剂、着色剂,也引入大量的金属、非金属杂质,同时还会带来有机污染。