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北京京诚宏泰科技有限公司
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聊聊西门子缓冲电阻2024/03/01
简介：缓冲电阻是一种阻值较大的电阻器，主要用于电路中的过渡性连接，作为电路中与电源的接口。缓冲电阻具有较高的电阻值和精度，能够提供稳定的电阻值，使电路能够正常工作。作用：平衡电压波动：变频器控制系统的电源电压可能波动，这会影响系统的工作稳定性。缓冲电阻可以平滑这些电压波动，确保变频器及其他组件的正常运作。减少电流峰值：电机在启动或运行过程中会产生较大的电流峰值，这可能导致电路短路或电机过载等问题。缓冲电阻有助于减少这种峰值电流的产生，从而维持系统的稳定性和安全性。保护电容：在变频器中，电容用于存
CM200DU-24H三菱IGBT模块适用于哪些地方2016/06/27
CM200DU-24H三菱IGBT模块，绝缘栅双极型晶体管，是由BJT（双极型三极管）和MOS（绝缘栅型场效应管）组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件，兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低，载流密度大，但驱动电流较大；MOSFET驱动功率很小，开关速度快，但导通压降大，载流密度小。IGBT综合了以上两种器件的优点，驱动功率小而饱和压降低。CM200DU-24H三菱IGBT模块非常适合应用于直流电压为600V及以上的变流系统如交流电机、变频器、开关电源
IGBT模块驱动及保护技术2016/04/29
1引言IGBT是MOSFET与双极晶体管的复合器件。它既有MOSFET易驱动的特点，又具有功率晶体管电压、电流容量大等优点。其频率特性介于MOSFET与功率晶体管之间，可正常工作于几十kHz频率范围内，故在较高频率的大、中功率应用中占据了主导地位。IGBT是电压控制型器件，在它的栅极-发射极间施加十几V的直流电压，只有μ*的漏电流流过，基本上不消耗功率。但IGBT的栅极-发射极间存在着较大的寄生电容（几千至上万pF），在驱动脉冲电压的上升及下降沿需要提供数A的充放电电流，才能满足开通和关断的动态
IGBT模块过流保护的两种情况介绍2015/09/15
生产厂家对IGBT模块提供的安全工作区有严格的限制条件，且IGBT模块承受过电流的时间仅为几微秒，耐过流量小，因此使用IGBT模块首要注意的是过流保护。产生过流的原因大致有：晶体管或二极管损坏、控制与驱动电路故障或干扰等引起误动、输出线接错或绝缘损坏等形成短路、输出端对地短路与电机绝缘损坏、逆变桥的桥臂短路等。对IGBT模块的过流检测保护分两种情况：(1)、驱动电路中无保护功能。这时在主电路中要设置过流检测器件。对于小容量变频器，一般是把电阻R直接串接在主电路中，通过电阻两端的电压来反映电流的大
可控硅与晶闸管的区别及发展应用2015/08/13
可控硅模块属于功率器件领域，是一种功率半导体开关元件，又叫做晶闸管，可控硅是简称。按其工作特性，可控硅可分为单向可控硅(SCR)和双向可控硅(TRIAC)。可控硅也称作晶闸管，它是由PNPN四层半导体构成的元件，有三个电极、阳极A、阴极K和控制极G。可控硅在电路中能够实现交流电的无触点控制，以小电流控制大电流，并且不象继电器那样控制时有火花产生，且动作快、寿命长、可靠性好。在调速、调光、调压、调温以及其他各种控制电路中都有可控硅的身影。可控硅分为单向的和双向的，符号也不同。单向可控硅有三个PN结
IGBT模块的散热技术发展2015/04/15
IGBT模块散热技术散热的过程1IGBT在结上发生功率损耗;2结上的温度传导到IGBT模块壳上;3IGBT模块上的热传导散热器上;4散热器上的热传导到空气中。散热环节影响散热程度影响因数解决办法1总发热功率zui主要因数运行电流电压改变电压电流开关频率2结壳热阻次要模块工艺3壳到散热器热阻次要散热器材料粘贴材料4散热器到环境热阻zui要散热方式散热材料散热方式散热材料如果IGBT模块一定时，IGBT结壳之间的热阻一定，IGBT壳与散热器的热阻与散热器材料和接触程度两个方面有关，但此处热阻较小，散
简单分析晶闸管损坏的原因2014/12/04
晶闸管是晶体闸流管的简称，又可称做可控硅整流器，以前被简称为可控硅；1957年美国通用电器公司开发出世界上*晶闸管产品，并于1958年使其商业化；晶闸管是PNPN四层半导体结构，它有三个极：阳极，阴极和门极；晶闸管工作条件为：加正向电压且门极有触发电流；其派生器件有：快速晶闸管，双向晶闸管，逆导晶闸管，光控晶闸管等。它是一种大功率开关型半导体器件，在电路中用文字符号为“V”、“VT”表示。晶闸管属于硅元件，很多人也称它为“可控硅”。硅元件的普遍特性是过载能力差，因此在使用过程中经常会发生烧坏晶闸
IGBT模块的分类2014/10/09
研发进展IGBT（绝缘栅双极晶体管）作为新型电力半导体场控自关断器件，集功率MOSFET的高速性能与双极性器件的低电阻于一体，具有输进阻抗高，电压控制功耗低，控制电路简单，耐高压，承受电流大等特性，在各种电力变换中获得极广泛的应用。与此同时，各大半导体生产厂商不断开发IGBT的高耐压、大电流、高速、低饱和压降、高可靠、低本钱技术，主要采用1um以下制作工艺，研制开发取得一些新进展。1、低功率IGBTIGBT应用范围一般都在600V、1KA、1KHz以上区域，为满足家电行业的发展需求，摩托罗拉、S
富士功率模块选型简介2014/07/16
富士功率模块选型简介一、PIM模块为了降低变频骆的成本，并减少变频器的尺寸。寓士电机和欧派克采用PIM模块结构。包括三相全波整流和6—7个IGBT。即变频器的主回路全部安装在一个模块上，在小功率变频器内（11KW以下）均用PIM模块较为合算。富士电机现正常供货的是S系列7个单元IGBT。在中国市场上己用了几年时间。应用技术亦比较成熟。而U系列的PIM模块供货现尚在努力之中．现主要推出S系列五种型号——面向小功率变频器。二、U系列IGBT模块U系列为富士电机第五代IGBT模块。采用FS新技术，是针
IGBT原理，作用，运用2013/10/31
IGBT（InsulatedGateBipolarTransistor），绝缘栅双极型晶体管，是由BJT（双极型三极管）和MOS（绝缘栅型场效应管）组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件,兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低，载流密度大，但驱动电流较大;MOSFET驱动功率很小，开关速度快，但导通压降大，载流密度小。IGBT综合了以上两种器件的优点，驱动功率小而饱和压降低。非常适合应用于直流电压为600V及以上的变流系统如交流电机、变频器、开关电源、照
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