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本土市场面临双重压力 国产存储芯片整装待发

2018-07-18 10:56:43来源:中国智能制造网 阅读量:53134

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导读:与国外芯片强国相比,国产存储芯片在核心技术、市场份额、人才储备等方面存在明显的差距。
  【中国智能制造网 智造快讯】近几年,包括大数据、云计算、物联网等新一代信息技术快速发展,持续推动着存储芯片在整个产业链中地位的提升。但与国外芯片强国相比,国产存储芯片在核心技术、市场份额、人才储备等方面存在明显的差距。


本土市场面临双重压力 国产存储芯片整装待发

 
  众所周知,存储芯片是半导体元器件中不可或缺的组成部分,应用场景十分广阔,目前已在内存、消费电子、智能终端等领域有着越来越深入的运用。尤其是在近几年,包括大数据、云计算、物联网等新一代信息技术快速发展,持续推动着存储芯片在整个产业链中地位的提升。
 
  存储芯片地位不言而喻
 
  从存储芯片本身性能来看,无论是系统芯片还是存储芯片,都是通过在单一芯片中嵌入软件,实现多功能和高性能,以及对多种协议、多种硬件和不同应用的支持。存储芯片的作用便是为访问性能、存储协议、存储介质等多种应用提供高质量的支持。
 
  而从研发存储芯片的意义来看,就不只是体现在其功能与作用上,更多地表现在国家综合竞争力及话语权的提升中。
 
  一方面是为提升市场占有率,研发自主存储芯片在其中起到重要作用;另一方面,在竞争激烈的电子产业链里面,没有核心技术的企业,很容易被“卡脖子”;此外,芯片技术作为的科技,既为企业赚取了大部分利润,也能提升国家的话语权。由此来看,存储芯片的重要性不言而喻。
 
  国产芯片面临双重压力
 
  经过近几年的发展,存储芯片起起落落。据统计,2017年NAND和DRAM销售总额高达1320亿美元,比2016年的800亿美元增长了65%。销售额暴涨的重要原因之一,就是NAND和DRAM价格疯涨。
 
  有观点表示,NAND与DRAM价格之所以暴涨,三星在其中起着关键作用,“三星占据较高市场份额,只要联合同为韩国企业的SK海力士,就可以轻易操纵市场。”
 
  此外,近年来三星的极大举措或将对国产芯片产生重大冲击。一方面,三星刻意控制产能,防止存储芯片价格下滑;另一方面,三星在不久前宣布其第五代V-NAND正式量产;此外,韩国媒体消息称,三星计划扩大韩国平泽工厂。这样一来,国产存储芯片将面临技术和成本双重竞争。
 
  当然,除了三星之外,本土企业还面对着更多实力对手的挑战以及市场的风云变幻。国产存储芯片的下一步该怎么走,至关重要。
 
  本土力量正蓄势待发
 
  相比国外先进技术,我国在在DRAM内存、NAND闪存上仍处于落后地位,但中国科研人员并没有因此停滞不前。
 
  此前,中国投资130亿元开建PCM相变内存,性能是普通存储芯片的1000倍;前不久,复旦大学微电子学院教授张卫、周鹏带领的团队研发了一种新的二维非易失性存储芯片。据悉,他们使用半导体结构,使得研发的存储芯片性能更为,是传统二维存储芯片的100万倍。该芯片不仅性能更长,而且具备更强的耐用性,刷新时间是内存的156倍。
 
  此外,更厉害的芯片预计明年到来。据武汉光电国家研究中心研发团队研发负责人表示,团队正在对基于相变存储器的3D XPOINT存储器技术进行研究,预计明年能在实验室研发成功。到时,芯片的读写速度会比现在快1000倍,可靠性提高1000倍。
 
  不过,在进行核心技术研发的过程中需要注意的是,无论是企业、科研机构、还是爱好技术研发的个人,切忌闭门造车,在关注政策、市场变化的同时,也要积极、虚心学习国外在核心技术、市场份额、人才储备等方面的优势,以海纳百川之态助推中国芯片产业前行。

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