台积电3nm工艺进度超前 EUV工艺获突破：直奔1nm

2021-02-20 16:47:00来源：快科技关键词：台积电半导体阅读量：24581

导读：与5nm工艺相比，台积电3nm工艺的晶体管密度提升70%，速度提升11%，或者功耗降低27%。

　　在ISSCC 2021固态电路会议上，台积电联席CEO刘德音公布了该公司的新工艺进展情况，指出3nm工艺超过预期，进度将会提前。不过刘德音没有公布3nm工艺到底如何超前的，按照他们公布的信息，3nm工艺是今年下半年试产，2022年正式量产。

　　与三星在3nm节点激进选择GAA环绕栅极晶体管工艺不同，台积电的第一代3nm工艺比较保守，依然使用FinFET晶体管。

　　与5nm工艺相比，台积电3nm工艺的晶体管密度提升70%，速度提升11%，或者功耗降低27%。

　　不论是5nm还是3nm工艺，甚至未来的2nm工艺，台积电表示EUV光刻机的重要性越来越高，但是产能依然是EUV光刻的难题，而且能耗也很高。

　　刘德音提到，台积电已经EUV光源技术获得突破，功率可达350W，不仅能支持5nm工艺，甚至未来可以用于1nm工艺。

　　按照台积电提出的路线图，他们认为半导体工艺也会继续遵守摩尔定律，2年升级一代新工艺，而10年则会有一次大的技术升级。

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