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ASML未来四代EUV光刻机进度披露：正向1nm迈进

2021-03-19 09:24:58来源：快科技关键词：EUV光刻机半导体设备阅读量：25130

导读：预计今年年底前，NXE：3600D将开始交付，30mJ/cm2下的晶圆通量是160片，比3400C提高了18%，机器匹配套准精度也增加了，它预计会是未来台积电、三星3nm制程的主要依托。

　　日前，ASML产品营销总监Mike Lercel向媒体分享了EUV(极紫外)光刻机的新进展。

　　ASML现在主力出货的EUV光刻机分别是NXE：3400B和3400C，它们的数值孔径(NA)均为0.33，日期更近的3400C目前的可用性已经达到90%左右。

　　预计今年年底前，NXE：3600D将开始交付，30mJ/cm2下的晶圆通量是160片，比3400C提高了18%，机器匹配套准精度也增加了，它预计会是未来台积电、三星3nm制程的主要依托。

　　在3600D之后，ASML规划的三代光刻机分别是NEXT、EXE：5000和EXE:5200，其中从EXE：5000开始，数值孔径提高到0.55，但要等待2022年晚些时候发货了。

　　由于光刻机从发货到配置/培训完成需要长达两年时间，0.55NA的大规模应用要等到2025~2026年了，服务的应该是台积电2nm甚至1nm等工艺。

　　0.55NA比0.33NA有着太多优势，包括更高的对比度、图形曝光更低的成本、更高的生产效率等。

　　当然，硅片、曝光洁净室逼近物理极限，也是不容小觑的挑战。现今5nm/7nm光刻机已然需要10万+零件、40个集装箱，而1nm时代光刻机要比3nm还大一倍左右，可想而知了。

　　(原标题：ASML未来四代EUV光刻机进度披露：正向1nm迈进)

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