年产内存3000万条我国一个重要存储芯片项目年底投产

2021-06-28 11:49:58来源：快科技关键词：存储芯片项目存储芯片阅读量：24964

导读：据悉，项目达产后，预计可实现年封测DRAM颗粒5.76亿颗，年封装NAND FLASH 3840万颗，年产内存模组3000万条的生产能力，预计可实现年营收28亿元左右。

　　今年底我国又要建成一条重要的存储芯片生产线了，据报道深科技子公司合肥沛顿存储科技有限公司一期项目圆满封顶，预计年底投产，主要从事内存及闪存芯片封测。

　　按照建设规划，合肥沛顿存储项目将于今年9月底完成全部建设任务，10月初进驻生产设备，力争于今年年底实现投产并形成有效产能。

　　项目达产后，预计可实现年封测DRAM颗粒5.76亿颗，年封装NAND FLASH 3840万颗，年产内存模组3000万条的生产能力，预计可实现年营收28亿元左右。

　　根据深科技沛顿与国家集成电路产业投资基金二期股份有限公司、合肥经开产业投促创业投资基金合伙企业(有限合伙)、中电聚芯一号(天津)企业管理合伙企业(有限合伙)签署的《投资协议》，深科技沛顿存储各方股东已于2020年11月出资40000.00万元，其中深科技沛顿首期出资22352.00万元已按约定支付完毕。

　　各方股东将同步进行第二期出资，深科技沛顿出资148,648.00万元，其中募集资金146165.28万元，自有资金2482.72万元。

　　(原标题：年产内存3000万条我国一个重要存储芯片项目年底投产)

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