速度提升75% 美光出货首款176层UFS 3.1闪存

2021-07-30 13:40:54来源：快科技关键词：闪存工业闪存阅读量：22296

导读：在混合工作负载场景中，UFS 3.1闪存产品的性能提升了15%，响应延迟缩短约10%，可使得手机启动和切换应用速度更快，保障流畅度。

　　7月30日上午消息，美光宣布开始批量出货全球首款基于176层分立式技术的UFS 3.1闪存产品，主要面向5G高端手机。性能方面，官称比前代96层堆叠产品提升了75%的顺序写入和随机读取性能提升，只需9.6秒即可下载一部2小时、14GB的4K电影，换算传输速度接近1.5GB/s。

　　在混合工作负载场景中，性能提升了15%，响应延迟缩短约10%，可使得手机启动和切换应用速度更快，保障流畅度。

　　容量上，提供128GB、256GB和512GB。

　　说到这儿，恐怕有用户担心可靠性。按照美光的说法，176层的总写入字节数比上代96层产品高出一倍，这意味着可存储之前两倍的总数据量，而不会损害设备的可靠性。即使是重度手机用户，也会发现智能手机的使用寿命大幅提升。

　　据悉，定于8月12日发布荣耀Magic 3将率先搭载美光176层UFS 3.1闪存。

　　(原标题：速度提升75% 美光出货首款176层UFS 3.1闪存)

上一篇：阿迪达斯的新型3D打印太阳镜重量仅20克售价415美元

下一篇：东芝推出TXZ＋族高级系列首批产品面向电机控制的Arm Cortex微控制器

我要评论

昵称

匿名

文明上网，理性发言。（您还可以输入200个字符)

表情

所有评论仅代表网友意见，与本站立场无关。

三星电子和SK海力士下半年考虑继续减产！
三星电子和SK海力士这两大厂商，正计划在下半年通过减少NAND闪存的产量来管理库存，以避免NAND闪存不理想的市场状况对正在复苏的DRAM市场带来负面影响。
存储芯片闪存
2023-08-22 15:44:20
投资150亿美元！三星西安闪存二厂建成投产
西安工厂的正常生产对全球NAND供应缺口起到一定的缓和作用，但是随着原材料的上涨，制作成本也在不断增加，半导体供应依旧紧张。
闪存半导体NAND闪存
2022-04-03 08:30:00
打破日韩垄断！传长江存储打入苹果供应链
能赢得像苹果这样的大客户，对于一家成立不久的中国本土企业而言实属不易，除了显示其技术已赶上国际大厂，也意味着中国本土闪存发展已有卓越的进展及能见度，打破日韩的垄断地位。
闪存供应链闪存集成电路
2022-03-30 10:38:53
铠侠宣布恢复生产，闪存价格持续上涨
3月3日消息，据铠侠报告，其位于日本四日市和北上的闪存制造厂目前已采取必要措施解决生产问题，现已恢复正常运营状态。

存储闪存铠侠
2022-03-03 17:53:37
最快今年底量产三星将推出224层闪存：速度提升30%
三星的3D闪存V-NAND目前发展到了第七代，最高176层，原本计划在去年底量产，但因为NAND闪存价格下滑等因素，三星选择推迟量产，今年Q1季度才会正式量产，导致技术上稍微落后于美光等公司。
闪存存储
2022-02-10 09:28:07
首发176层QLC闪存美光推出2400系列SSD：寿命比TLC短一半
容量有512GB、1TB及2TB三种，规格支持M.2 2230/2242/2280，其中30mm版依然有最高2TB容量，这是其优势。
闪存存储设备
2022-01-12 15:21:15

版权与免责声明：

凡本站注明“来源：智能制造网”的所有作品，均为浙江兴旺宝明通网络有限公司-智能制造网合法拥有版权或有权使用的作品，未经本站授权不得转载、摘编或利用其它方式使用上述作品。已经本网授权使用作品的，应在授权范围内使用，并注明“来源：智能制造网”。违反上述声明者，本站将追究其相关法律责任。

本站转载并注明自其它来源（非智能制造网）的作品，目的在于传递更多信息，并不代表本站赞同其观点或和对其真实性负责，不承担此类作品侵权行为的直接责任及连带责任。如其他媒体、平台或个人从本站转载时，必须保留本站注明的作品第一来源，并自负版权等法律责任。如擅自篡改为“稿件来源：智能制造网”，本站将依法追究责任。

鉴于本站稿件来源广泛、数量较多，如涉及作品内容、版权等问题，请与本站联系并提供相关证明材料：联系电话：0571-89719789；邮箱：1271141964@qq.com。