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台积电2nm工厂2024年量产 与三星、Intel就GAA晶体管技术展开竞争

2021-08-03 09:29:28来源:快科技 阅读量:23419

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导读:Intel 18A预计2025年初投产,RibbonFET也将继续得到强化。
  Intel决心在半导体工艺上重回领导地位,台积电也面临压力,好消息是他们的2nm工艺Fab20日前获批。
 
  据介绍,Fab20工厂将分为4期厂房逐步动工,前2期厂房预估会在2023年下半年完工并展开装机作业,2024年下半年可望进入量产阶段,2nm工艺4期厂房全部完工量产要到2025~2026年,总月产能将逾10万片规模。
 
  台积电的2nm工艺虽然没有详细规格流出,但也会上GAA晶体管,台积电为此开发了新的nanosheet纳米片技术,可以更好地控制阈值电压(Vt),波动降低至少15%,将大大改善芯片设计、性能。
 
  除了Intel、台积电之外,三星的3nm工艺工艺也会在2024年左右量产,尽管3nm跟2nm工艺还差了一代,但三星是首个进入GAA晶体管工艺的厂商,依然不容小觑,这三大半导体巨头将在2024年有一场恶战,GAA技术表现如何,三家厂商的表现让人关心。
 
  (原标题:台积电2nm工厂2024年量产 与三星、Intel决战GAA晶体管技术)

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