台积电工艺路线图：3nm明年量产、2nm 2025年再见

2021-10-19 16:11:02来源：快科技关键词：芯片制造芯片产业阅读量：23071

导读：三星此前已经宣布，3nm 3GAE低功耗版2022年初量产，3nm 3GAP高性能版2023年初量产，2nm 2GAP 2025年量产。

　　这两年，台积电、三星在前沿工艺上你追我赶，下一步比拼的就是3nm、2nm。

　　三星此前已经宣布，3nm 3GAE低功耗版2022年初量产，3nm 3GAP高性能版2023年初量产，2nm 2GAP 2025年量产。

　　台积电CEO魏哲家新公开表示，台积电3nm N3将在今年内风险性试产，2022年下半年大规模量产，2023年第一季度获得实际收入。

　　台积电N3 3nm工艺将是N5 5nm之后的全新节点，号称经过密度可增加70%，同等功耗下性能可提升10-15%，同等性能下功耗可降低25-30%，并且使用更多层的EUV光刻(不低于N5 14层)，因此更加复杂化，整个工艺流程的工序超过1000道。

　　N3还会衍生出一个N3E版本，可以视为增强版，有更好的性能、功耗、良品率，同时设计和IP上完全兼容N3，2024年量产。

　　台积电的N2 2nm工艺一直比较神秘，此前只是确认会考虑使用GAAFET(环绕栅极场效应晶体管)，但从未明确是否真的上马。

　　按照魏哲家的最新说法，N2工艺将在2025年量产，并强调无论集成密度还是性能都是业内非常好的，但未给出具体指标。

　　之前预计台积电2nm 2024年就能量产，结果现在节奏也放缓了，和三星基本同步，就看谁的表现更好了，当然还有高昂的成本问题。

　　(原标题：台积电路线图：3nm明年量产、2nm 2025年再见)

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