华中科技大学成功研制全球最低功耗相变存储器：比主流产品低了一千倍

2022-01-21 09:19:05来源：快科技关键词：存储器存储设备阅读量：26176

导读：为了解决相变存储器中高功耗的瓶颈问题，华中科技大学集成电路学院信息存储材料及器件研究所（ISMD）联合西安交通大学材料创新设计中心（CAID）研发了一种网状非晶结构的相变存储器，功耗达到了0.05pJ以下，比主流产品功耗低了一千倍。

　　1月20日，从华中科技大学集成电路学院获悉，该学院团队研制出全世界功耗最低的相变存储器，比主流产品功耗低了一千倍。

　　据了解，在新型存储器中，相变存储器(PCM)是与CMOS工艺十分兼容，技术十分成熟的存储技术。

　　2015年，Intel和Micron推出了傲腾三维相变存储芯片，速度和寿命比固态闪存硬盘要快一千倍，其三维堆叠技术也使容量高出了十倍。

　　然而，由于在相变过程中需要将存储介质熔化冷却，导致相变存储器的功耗极高且发热严重，限制了存储容量的进一步提高，也大大增加了其制造成本。

　　因此，降低相变存储器的功耗将便于进一步提升存储器数据密度，提高其在半导体存储市场核心竞争力，此外降低功耗可以改善存储器散热问题，减少相邻单元间的热串扰，从而提高器件稳定性和整体性能。

　　目前前沿的几十纳米制程的单个相变存储单元擦写功耗达到了40pJ左右，而实验室制备的百纳米大小的器件功耗达到1000pJ以上。

　　为了解决相变存储器中高功耗的瓶颈问题，华中科技大学集成电路学院信息存储材料及器件研究所（ISMD）联合西安交通大学材料创新设计中心（CAID）研发了一种网状非晶结构的相变存储器，功耗达到了0.05pJ以下，比主流产品功耗低了一千倍。

　　除了低功耗以外，该相变存储器拥有一致性好且寿命长的优点。

　　(原标题：华中科技大学成功研制全球最低功耗相变存储器：比主流产品低了一千倍)

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