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英特尔和联华电子宣布合作开发12nm半导体制程平台 预计2027年投产

2024-01-29 11:52:33来源:TechWeb.com.cn 阅读量:22567

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导读:据外媒报道,当地时间周四,英特尔和联华电子宣布,他们将合作开发12nm半导体制程平台,以满足移动、通信基础设施和网络等高增长市场的需求。
  1月26日消息,据外媒报道,当地时间周四,英特尔和联华电子宣布,他们将合作开发12nm半导体制程平台,以满足移动、通信基础设施和网络等高增长市场的需求。
 
  新的12nm节点将利用英特尔在美国的大规模制造能力和FinFET晶体管设计经验,将在英特尔位于美国亚利桑那州的三个晶圆厂(Fabs 12、Fabs 22和Fabs 32)进行开发和制造,预计在2027年投入生产。
 
  据外媒报道,英特尔位于美国亚利桑那州的三家晶圆厂已经在生产其现有的10nm和14nm节点,但这两个节点在生产中使用了许多相同的工具,英特尔也将在新的12nm生产中使用其中的许多工具。
 
  随着英特尔在2027年开始生产新的12nm节点,这三个晶圆厂将逐步停止10nm和14nm节点的生产,从而为新节点腾出产能。
 
  英特尔是为数不多的既设计又制造自己芯片的半导体公司之一,而高通和苹果等竞争对手的芯片设计依赖于代工制造商。
 
  2021年初,英特尔重振其芯片代工制造业务,并将其更名为“英特尔代工服务”(Intel Foundry Services,简称IFS),目标是与台积电和三星竞争。
 
  在过去一年里,英特尔代工服务取得了重大进展,它与新客户建立了强劲的合作势头,并扩大了其不断增长的代工生态系统。IFS预计今年将继续取得进展。
 
  本周三,英特尔宣布其位于新墨西哥州的尖端封装工厂Fab 9正式开业,该工厂采用了先进的芯片封装技术,包括3D封装技术 Foveros。

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