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英特尔:已拿下ASML明年上半年大部分NA极紫外光刻设备!

2024-05-22 09:43:41来源:OFweek激光网 关键词:光刻设备阅读量:22803

导读:英特尔的竞争对手如三星和SK海力士则必须等到2025年下半年才能获得此类设备。他们还表示,这家美国芯片制造商在宣布重新进入芯片代工或代工芯片生产业务时,抢先购买了这些设备。
  据韩媒报道,英特尔已经获得了阿斯麦(ASML)在明年上半年制造的大部分高数值孔径 (NA) 极紫外 (EUV) 光刻设备。
 
  ASML今年计划生产5台高NA EUV光刻设备,而这些设备将全部供应给英特尔。
 
  他们表示,ASML每年生产高数值孔径(NA) EUV设备的能力约为5-6台,由此可见英特尔已经获得了计划在2024年生产的全部5台设备——每台单位的成本约为3.7亿美元,这凸显了英特尔在先进制造技术上的巨大投资。
 
  与此同时,英特尔的竞争对手如三星和SK海力士则必须等到2025年下半年才能获得此类设备。他们还表示,这家美国芯片制造商在宣布重新进入芯片代工或代工芯片生产业务时,抢先购买了这些设备。
 
  许多人或许会禁不住好奇:台积电何时会加入这一潮流。到目前为止,该公司表示,它没有看到高数值孔径(NA)的配置对客户带来的好处,因此在可预见的未来,它将坚持使用极紫外(EUV)光刻设备。不过,对台积电来说,此举或许并不坏,因为它不乏高收入客户。包括英伟达(Nvidia)、AMD、苹果(Apple)甚至英特尔(Intel)在内的科技巨头,已经准备好并愿意为英特尔先进的产品付出任何代价,所以我们必须等上几年,才能看到英特尔的这场赌博是否会得到回报。
 
  ASML的高数值孔径 (NA) 极紫外EUV设备,是2nm工艺节点芯片的必备设备,单价超过5000亿韩元。
 
  数值孔径 (NA) 是收集和聚焦光线能力的衡量标准。数值越高,收集光的效果越好,高NA EUV设备的NA从0.33提高到0.55。这基本上意味着设备可以绘制更精细的电路图案。近年来,通过改变用于将图案投影到晶圆上的光学器件的设计,高数值孔径 EUV 技术在分辨率和晶体管尺寸方面取得了重大进步。
 
  英特尔正在比竞争对手更快地采用高数值孔径 (NA) 极紫外 (EUV) 光刻设备,以赢得客户。该公司于2021年重新进入代工市场,但去年该业务亏损了70亿美元。
 
  英特尔于今年1月从ASML获得了首台高NA EUV设备,并于4月中旬在俄勒冈州完成了组装。这台TWINSCAN EXE:5000设备是该类型的首个商用光刻系统,英特尔计划使用它来减少外包晶圆的总数,从而提升其代工业务的盈利能力。
 
  该公司希望这将有助于其陷入困境的代工业务开始扭转命运,此前该公司在2023年报告中达到了70亿美元的运营亏损。
 
  尽管该设备预计要到2025年才能全面投入使用,但英特尔已经表示将利用其生产14A工艺芯片,并预计在2026年左右实现全面运营。这显示了英特尔在先进制造技术方面的长期规划和坚定决心。考虑到所涉及的时间表,英特尔将如何处理5台高NA设备还有待观察,因为它不会在芯片的整个生产过程中使用它们。
 
  ASML是制造先进的3nm和5nm芯片所需的极紫外光刻机的全球供应商。ASML总部位于荷兰埃因霍温郊区,是欧洲最有价值的科技公司,市值为3387亿欧元(3632亿美元)。
 
  该公司的高NA EUV机器的工作原理是用激光撞击加热到大约22万摄氏度((396032华氏度)的锡滴,产生13.5nm波长的光,这在地球上是不会自然产生的。然后,这些光被一个包含电路模式模板的掩模反射,然后通过一个由有史以来精确的镜子组成的光学系统。
 
  2024年4月,长期担任ASML首席执行官的Peter Wennink宣布退休,接替他的是该公司前首席商务官Christophe Fouquet。
 
  ASML作为制造先进芯片所需极紫外光刻机的全球供应商,其高NA EUV设备的工作原理涉及复杂的物理过程。通过激光撞击加热到极高温度的锡滴,产生特定波长的光,然后通过精密的光学系统将这些光反射并聚焦到晶圆上,从而实现高精度的图案刻蚀。
 
  随着技术的不断进步和市场需求的增长,先进制造技术已成为芯片制造领域的核心竞争力。英特尔此次购买高NA EUV设备将进一步提升其在代工市场的竞争力,并有助于推动整个芯片产业的创新发展。
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