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国产第三代半导体掀起扩产浪潮！2024年度中国第三代半导体技术十大进展重磅揭晓

2024-12-10 16:50:35来源：智能制造网整理关键词：第三代半导体半导体材料阅读量：41095

导读：从“2024年度中国第三代半导体技术十大进展”中可以看出，国产第三代半导体正在全球范围内掀起扩产浪潮！在实现半导体技术突破的同时，还显著提升芯片出口量。

　　2024年以来，我国半导体产业整体向好，尤其是第三代半导体技术，备受市场关注！

　　什么是第三代半导体技术？

　　第三代半导体技术基于碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)等宽禁带半导体材料，代表了新一代半导体技术的发展方向。该技术主要应用于新能源汽车、智能电网、5G通讯、轨道交通等领域。

　　近日，“2024年度中国第三代半导体技术十大进展”(简称“十大进展”)在第十届国际第三代半导体论坛(IFWS)与第二十一届中国国际半导体照明论坛(SSLCHINA2024)开幕式上重磅揭晓。

　　从十大进展中可以看出，国产第三代半导体正在全球范围内掀起扩产浪潮！在实现半导体技术突破的同时，还显著提升芯片出口量。

　　据相关数据显示，2024年上半年，我国芯片累计产量达到2071.1亿颗，同比增长28.9%。此外，我国芯片出口金额高达5427亿元，较去年同期增长25.6%。

　　12月5日，由世界集成电路协会主办的“2024-2025全球半导体市场峰会”在上海成功召开。峰会上，世界集成电路协会表示，2024年全球半导体市场规模预计将达到6202亿美元，同比增长17%。与此同时，还表示，全球半导体市场触底反弹，即将进入“硅周期”上行阶段！

　　“硅周期”是指半导体产业的繁荣与萧条相互交替的现象，一般每四到五年为一个周期。这是否也预示着，我国第三代半导体产业的“春天”即将来临？

　　12月10日消息，国家知识产权局信息显示，江苏第三代半导体研究院有限公司申请一项名为“发光层结构、复合插入层结构及其制备方法和应用”的专利。据悉，该专利将降低外延片中发光层的应力，增强发光层内的辐射复合效率，提高 LED 外延片的亮度。

　　12月5日消息，国家知识产权局信息显示，南京第三代半导体技术创新中心有限公司申请一项名为“分栅结构碳化硅 MOSFET 及其制造方法”的专利。根据专利摘要显示，该发明公开了一种分栅结构碳化硅MOSFET及其制造方法。

　　12月2日消息，国家知识产权局信息显示，华为技术有限公司申请一项名为“一种氮化镓基激光器和相关设备”的专利。根据专利摘要的显示，该专利中提到的氮化镓基激光器还加入了电势平衡层，这一创新性结构使得激光器的耗尽区能够与有源区精确重叠。

　　11月27日，位于新埭镇高端装备智造产业园的晶驰机电半导体材料装备研发生产项目正式投产。据悉，该项目将推进8英寸大尺寸碳化硅外延设备与碳化硅长晶设备、4-6英寸大尺寸金刚石长晶设备、氮化铝长晶设备等三大类产品生产。一旦达产，项目预计能够实现年产120台半导体长晶和外延专用设备的生产能力，进而实现年产值1.4亿元的目标。

　　......

　　在第三代半导体产业发展，这些都将进一步实现产业链关键环节的自主可控实力！

　　近年来，我国高度重视第三代半导体技术发展，并在技术研发、产业创新方面出台了一系列支持政策。

　　2024年1月，工业和信息化部等七部门联合印发的关于推动未来产业创新发展的实施意见提出，前瞻部署新赛道。在未来材料方面，提出：推动有色金属、化工、无机非金属等先进基础材料升级，发展高性能碳纤维、先进半导体等关键战略材料，加快超导材料等前沿新材料创新应用。

　　相信随着第三代半导体技术的逐渐成熟，我国自主可控实力将逐渐提升，该技术在新能源汽车、5G通信、可再生能源等领域的应用需求将日益增长。

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