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硅APD探测器LD-Si-010
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访问次数:2904更新时间:2023-08-18 10:21:18

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产品简介
硅APD探测器LD-Si-010是0.4~1.1μm波长光信号的优良探测器,它具有n+p-πp+达通型结构,兼备了高灵敏度、高速响应和低噪声三大优点。内部的雪崩倍增效应可达到120倍以上。适用于激光测距、测速、测角、光电探测和光电对抗等系统。
产品介绍

硅APD探测器LD-Si-010是0.4~1.1μm波长光信号的优良探测器,它具有n+p-πp+达通型结构,兼备了高灵敏度、高速响应和低噪声三大优点。内部的雪崩倍增效应可达到120倍以上。适用于激光测距、测速、测角、光电探测和光电对抗等系统。

硅APD探测器LD-Si-010

光电特性       

        TA=23

项目

符号

单位

数值

典型

1

光敏面

尺寸

直径

Ф

mm

 

0.8

 

面积

A

mm2

 

0.5

 

2

光谱响应范围

 

nm

400

 

1100

3

暗电流

Id

nA

 

 

100

4

工作电压

Vopt

V

275

 

425

5

工作电压温度系数

K

V/℃

1.0

 

2.4

6

电压响应度

1064nm

RV

V/W×105

1.1

1.4

 

900nm

RV

V/W×105

4.9

5.6

 

7

噪声等效功率

1064nm

NEP

pW/Hz1/2

 

0.11

0.27

900nm

NEP

pW/Hz1/2

 

0.027

0.06

8

响应上升时间

Tr

ns

 

8

10

9

响应下降时间

Tf

ns

 

8

10

10

输出阻抗

 

Ω

 

25

50

11

线性电压输出范围

 

V

 

0.7

 

12

电压输出范围

 

V

 

 

2.0

13

输出端偏压

 

V

0.0

-0.7

-1.0

14

放大器电源电压

Vs

V

±5.5

±6.0

±9.0

15

放大器电源电流

Is

mA

 

5

8

16

工作环境温度

Ta

-40

 

+70

 

17

大反向暗电流

ID

μA

 

 

100

大光

电流

平均值

IP

mA

 

 

2.5

峰值

IP

mA

 

 

10

 



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