深圳市迈瑞施电子技术有限公司

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FZ1200R12KF4FZ1200R12KF4
参考价: 面议
具体成交价以合同协议为准
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访问次数:254更新时间:2019-01-29 18:46:11

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产品简介
FZ1200R12KF4中文资料,技术参数, PDF datasheet,图片。
产品介绍

FZ1200R12KF4

FZ1200R12KF4品牌:英飞凌(Infineon)、优派克(eupec)

产地:源产于*;

批号:2015/2016预订

价格:RMB面议;

数量:258;

深圳市迈瑞施电子技术有限公司O755一328II887 ,Q 十119859,8287


封装形式:IGBT、IGCT、IPM、PIM、可控硅、GTO、GTR达林顿、整流桥、二极管、场效应模块;

> 120V

产品型号 参数说明 封装形式

IPB147N12N3 G 56A , 120V , 14.7 mOhm TO-263

IPP147N12N3 G 56A , 120V , 14.7 mOhm TO-220

IPD110N12N3 G 75A , 120V , 11.0 mOhm TO-252

IPP114N12N3 G 75A , 120V , 11.4 mOhm TO-220

IPP048N12N3 G 100A , 120V , 4.8 mOhm TO-220

IPP076N12N3 G 100A , 120V , 7.6 mOhm TO-220

IPB041N12N3 G 120A , 120V , 4.1 mOhm TO-263

IPP041N12N3 G 120A , 120V , 4.1 mOhm TO-220

IPB036N12N3 G 180A , 120V , 3.6 mOhm TO-263-7

> 150V

产品型号 参数说明 封装形式

IPD530N15N3 G 21A , 150V , 53.0 mOhm TO-252

IPA105N15N3 G 37A , 150V , 10.5 mOhm TO-220F

IPA075N15N3 G 43A , 150V , 7.5 mOhm TO-220F

IPD200N15N3 G 50A , 150V , 20.0 mOhm TO-252

IPB108N15N3 G 83A , 150V , 10.8 mOhm TO-263

IPP111N15N3 G 83A , 150V , 11.1 mOhm TO-220

IPP075N15N3 G 100A , 150V , 7.5 mOhm TO-220

IPB065N15N3 G 130A , 150V , 6.5 mOhm TO-263-7


公司拥有大量正规渠道的现货库存,建立起完善的国外采购流程,可接受客户国外代购业务。

1,功率器件:

IGBT、IGCT、IPM、PIM、可控硅、GTO、GTR达林顿、整流桥、二极管、场效应模块;

2,驱动器件:

CONCEPT IGBT驱动模块、光耦、变频器主控板、驱动板,

操作面板及延长电缆等配件以及富士制动单元;

3,快速熔断器

日本富士(FUJI)、日之出(HINODE)、法国罗兰(FERRAZ)、英国GOULD、美国BUSSMANN;

4,工业大容量电容:

日本日立、黑金刚NIPPON chemi-con、尼吉康nichicon;红宝石,

epcos艾普科斯、电解电容以及美国CDE无感电容;

5,传感器:瑞士LEM电流传感器,电压传感器,霍尔传感器;

中文资料,技术参数, PDF datasheet,图片




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