PbS高速光电探测器

一、InGaAsAPD/PIN光电探测器：

1、InGaAsAPD光电探测器：(900nm-1700nm)高质量陶瓷以及光纤封装。典型应用于通信，数据传输，人眼安全激光测距机等。
型号：C30644E、C30645E、C30733、C30662E

2、InGaAsPIN(小面积)光电探测器：(900nm-1700nm)高质量陶瓷以及光纤封装。典型应用于通信，数据传输，仪表等。
型号：C30616E、C30637E

3、InGaAsPIN(大面积)光电探测器：(900nm-1700nm)高质量窗口以及光纤封装。典型应用于光功率表，人眼安全激光通信，仪表等。
型号：C30619G、C30641G、C30665G、C30723G

4、InGaAsPIN(大面积)扩展波长光电探测器：(1um-2.5um)高质量陶瓷封装，提供不带制冷器、一级制冷器和二级制冷器三种封装的产品。典型应用于非破坏性检查，水汽测量，生物化学应用，环境监控等，需要相关资料，请咨询。

二、SiliconAPD光电探测器：

1、SiliconAPD标准雪崩管：(400nm-1100nm)密封陶瓷封装。典型应用于荧光探测，小信号快速探测，LIDAR，光子计数，数据传输，仪表，自适应光学，共焦微透镜等。
型号：C30817E、C30872E、C30902E、C30916E

2、SiliconAPD光电探测器阵列：(400nm-1100nm)密封陶瓷封装。典型应用于LIDAR，分光镜，粒子探测，自适应光学，跟踪系统等。
型号：四象限阵列C30927E、线性阵列C30985E

3、SiliconAPD低价格光电探测器：(400nm-1100nm)大量，低价格探测器。典型应用于激光测距，防碰撞系统等。
型号：低增益C30724、高增益C30737E

4、SiliconAPD热电致能型光电探测器：(400nm-1100nm)带一级或者两级热电致冷器，冷却APD，减少小信号探测时的热噪声，内部集成的热电阻用来温度监控以及致冷器控制。典型应用于小信号荧光探测，光子计数，快速或者微弱信号探测，自适应光学等。型号：C30902S-TC,C30902S-DTC

5、SiliconAPD近红外增强型(1.064um)光电探测器：密封陶瓷封装。典型应用于LIDAR，红外激光测距，荧光探测，快速或者小信号探测。
型号：C30954E，C30955E，C30956E

6、SiliconAPD光纤耦合型光电探测器：光纤耦合封装。典型应用于光纤数据传输，远程光传感器，小信号探测等。
型号：C30921

7、SiliconAPD辐射探测器：大光敏面积，平板封装。典型应用于直接探测光，x-Rays,电子的辐射。
型号：C30626，C30703