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上海伯东霍尔离子源 eH 1000

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所  在  地上海市

更新时间:2019-08-20 15:59:38浏览次数:544次

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上海伯东代理美国* KRI 霍尔离子源 eH 1000 高效气体利用, 低成本设计提供高离子电流, 特别适合中型真空系统. 通常应用于离子辅助镀膜, 预清洗和低能量离子蚀刻.

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KRI 霍尔离子源 eH 1000
上海伯东代理美国* KRI 霍尔离子源 eH 1000 高效气体利用, 低成本设计提供高离子电流, 特别适合中型真空系统. 通常应用于离子辅助镀膜, 预清洗和低能量离子蚀刻.
尺寸: 直径= 5.7“ 高= 5.5”
放电电压 / 电流: 50-300V / 10A
操作气体: Ar, Xe, Kr, O2, N2, 有机前体

KRI 霍尔离子源 eH 1000 特性:
可拆卸阳极组件 - 易于维护; 维护时, 大限度地减少停机时间; 即插即用备用阳极
宽波束高放电电流 - 高电流密度; 均匀的蚀刻率; 刻蚀效率高; 高离子辅助镀膜 IAD 效率
多用途 - 适用于 Load lock / 超高真空系统; 安装方便; 无需水冷
高效的等离子转换和稳定的功率控制

KRI 霍尔离子源 eH 1000 技术参数:

型号

eH1000 / eH1000L / eH1000x02/ eH1000LEHO

供电

DC magnetic confinement

  - 电压

40-300V VDC

  - 离子源直径

~ 5 cm

  - 阳极结构

模块化

电源控制

eHx-30010A

配置

-

  - 阴极中和器

Filament, Sidewinder Filament or Hollow Cathode

  - 离子束发散角度

> 45° (hwhm)

  - 阳极

标准或 Grooved

  - 水冷

前板水冷

  - 底座

移动或快接法兰

  - 高度

4.0'

  - 直径

5.7'

  - 加工材料

金属
电介质
半导体

  - 工艺气体

Ar, Xe, Kr, O2, N2, Organic Precursors

  - 安装距离

10-36”

  - 自动控制

控制4种气体

* 可选: 可调角度的支架; Sidewinder

KRI 霍尔离子源 eH 1000 应用领域:
离子辅助镀膜 IAD
预清洗 Load lock preclean
预清洗 In-situ preclean
Direct Deposition
Surface Modification
Low-energy etching
III-V Semiconductors
Polymer Substrates

霍尔离子源 Gridless 提供高电流低能量 end-Hall 系列产品,包含宽束霍尔离子源和电源控制器,整体设计,易于系统集成, 霍尔离子源典型应用:辅助镀膜 IABD,镀膜预清洁 ISSP,离子蚀刻等

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