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FF200R12KS4特点

时间：2012-8-23阅读：1242
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　　FF200R12KS4特点：
　　
　　产品种类:IGBT模块（三极管）
　　
　　配置:Dual
　　
　　集电极—射极击穿电压:1200V
　　
　　集电极—射极饱和电压:3.2V
　　
　　集电极zui大连续电流Ic:200A
　　
　　栅极—射极漏泄电流:400nA
　　
　　功率耗散:1.4KW
　　
　　封装/箱体:IS（62mm）
　　
　　集电极—发射极zui大电压VCEO:1200V
　　
　　栅极/发射极zui大电压:20V
　　
　　zui大工作温度:+125C
　　
　　zui小工作温度:-40C

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