2015 04-14

IGBT模块的散热技术发展

IGBT模块散热技术散热的过程1IGBT在结上发生功率损耗;2结上的温度传导到IGBT模块壳上;3IGBT模块上的热传导散热器上;4散热器上的热传导到空气中。散热环节影响散热程度影响因数解决办法1总发...

2014 11-25

可控硅的原理和应用中需要进行注意的事项

可控硅是可控硅整流元件的简称，是一种具有三个PN结的四层结构的大功率半导体器件，一般由两晶闸管反向连接而成。它的功能不仅是整流，还可以用作无触点开关的快速接通或切断；实现将直流电变成交流电的逆变；将一...

2014 07-10

IGBT模块散热器的发展与应用

摘要：电力电子器件的发展经历了晶闸管(SCR)、可关断晶闸管(GTO)、晶体管(BJT)、绝缘栅晶体管(IGBT)等阶段。目前正向着大容量、高频率、易驱动、低损耗、模块化、复合化方向发展，与其他电力电...

2012 08-23

igbt保管时的注意事项

igbt保管时的注意事项：一般保存igbt模块的场所，应保持常温常湿状态，不应偏离太大。常温的规定为5～35℃，常湿的规定在45～75%左右。在冬天特别干燥的地区，需用加湿机加湿;尽量远离有腐蚀性气体...

2012 08-23

FF200R12KS4特点

FF200R12KS4特点：产品种类:IGBT模块（三极管）配置:Dual集电极—射极击穿电压:1200V集电极—射极饱和电压:3.2V集电极zui大连续电流Ic:200A栅极—射极漏泄电流:400n...

2012 06-28

FF200R12KS4的技术参数

FF200R12KS4的技术参数产品种类:IGBT模块集电极—射极击穿电压:1200V集电极—射极饱和电压:3.2V集电极zui大连续电流Ic:200A栅极—射极漏泄电流:400nA功率耗散:1.4K...

2012 06-28

IGBT工作原来的等效电路

IGBT工作原理的等效电路如图1所示。由图1可知,若在IGBT的栅极和发射极之间加上驱动正电压,则MOSFET导通,这样PNP晶体管的集电极与基极之间成低阻状态而使得晶体管导通;若IGBT的栅极和发射...

2012 05-16

IGBT高频感应加热设备正确使用方法

正确使用IGBT高频感应加热设备的操作方法，可以避免人为操作失误，给自己的生产带来不必要的麻烦。首先，一定要严格按顺序开机。一、IGBT高频感应加热设备开机顺序：1、根据工件大小，选择并安装合适的感应...

2012 05-16

高压IGBT模块的特性和应用

新一代3300V1200A的IGBT模块，仍保持IGBT模块的典型特性，即损耗低、噪音小和短路耐量大的特性。其饱和压降与1600V的产品差不多，通过降低50%左右的短路电流而实现其可与1200V/16...

2012 03-12

IGBT节能趋势

在过去20多年中，围绕IGBT器件产生了非常多的，欧洲、美国和日本的公司已经在这个领域形成了巨大的技术优势在新能源领域的大多数功率变换装置中，IGBT（绝缘栅双极型晶体管）是zui为重要的器件，与欧洲...

2009 12-30

IGBT的并联问题

用于大容量逆变器等控制大电流场合使用IGBT模块时，可以使用多个器件并联。并联时，要使每个器件流过均等的电流是非常重要的，如果一旦电流平衡达到破坏，那么电过于集中的那个器件将可能被损坏。为使并联时电流...

2009 12-04

IGBT往散热器上安装固定时的注意事项

由于热阻随IGBT安装位置的不同而不同，因此，若在散热器上仅安装一个IGBT时，应将其安装在正中间，以便使得热阻zui小；当要安装几个IGBT时，应根据每个IGBT的发热情况留出相应的空间；使用带纹路...

2009 12-02

为IGBT设计保护时需要注意的问题

在进行电路设计时，应针对影响IGBT可靠性的因素，有的放矢地采取相应的保护措施。1.IGBT栅极的保护2.集电极与发射极间的过压保护过电压的产生主要有两种情况，一种是施加到IGBT集电极－发射极间的直...

2009 12-01

影响IGBT安全可靠与否的主要因素

若在IGBT的栅极和发射极之间加上驱动正电压，则MOSFET导通，这样PNP晶体管的集电极与基极之间成低阻状态而使得晶体管导通；若IGBT的栅极和发射极之间电压为0V，则MOSFET截止，切断PNP晶...

2009 05-09

IGBT模块工作原理以及检测方法

1IGBT模块简介IGBT是InsulatedGateBipolarTransistor（绝缘栅双极型晶体管）的缩写，IGBT是由MOSFET和双极型晶体管复合而成的一种器件，其输入极为MOSFET，...

2009 05-09

IGBT智能驱动模块（续）

３ＳＣＡＬＥ的主要工作模式３．１直接模式在直接模式下，各路ＩＧＢＴ将独立地工作。该模式可用于已产生死区时间的ＰＷＭ信号的驱动，也可用于独立工作的各路ＩＧＢＴ。将ＭＯＤ输入与Ｖ相连，ＲＣ１和ＲＣ２接地，...

2009 05-09

一种适用于大功率IGBT模块串联工作的新型驱动电路

1引言随着电力电子技术的飞速发展,特别是IGBT（InsulatedGateBipolarTransistor,绝缘栅双极晶体管）和MOSFET（Metallicoxidesemiconductorf...

2009 05-09

IGBT智能驱动模块

SCALE驱动是瑞士Concept公司生产的IGBT智能化驱动板，可用于驱动和保护IGBT。文中介绍了该IGBT智能化驱动板的主要功能、工作模式和引脚功能，给出该器件的典型应用电路。１概述:由于ＩＧＢ...

2009 05-09

IGBT 模块 应用指南-基本知识

IGBT是绝缘栅双极型晶体管（IsolatedGateBipolarTransistor）,它是八十年代初诞生，九十年代迅速发展起来的新型复合电力电子器件。IGBT将MOSFET与GTR的优点集于一身...

2009 05-09

MOS管和IGBT模块的测试方法

MOS管（MOSFET）的测试方法:场效应管,如果已知型号与管脚,用万用电表测G（栅极）和S（源极）之间,G与D（漏极）之间没有PN结电阻,说明该管子已坏.用万用电表的R×1kΩ档,其表棒分别接在场效...