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G3VM-61B1/E1 MOS FET
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访问次数:263更新时间:2021-03-23 09:04:12

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产品简介
产品分类:MOS FET继电器 产品说明:G3VM-61B1/E1 MOS FET继电器应用于模拟信号开关的MOS FET继电器,可对应AC2.5KV的输入输出间耐压和开闭大电流场合▶ G3VM-61B/E 系列的升级。▶ 可用于微笑模拟信号的开关。▶ 输出继电器开路时漏电流在1μA 以下。
产品介绍

 种类

形状接点结构端子种类负载电压(大)*型号每杆装数量每卷装数量
DIP61a印刷基板用端子60VG3VM-61B150
表面安装端子G3VM-61E1
G3VM-61E1(TR)1,500

*负载电压(大):表示峰值AC、DC。

大额定(Ta 25

项目符号额定单位条件
输入侧LED正向电流IF50mA 
反复峰值LED正向电流IFP1A100μs脉冲、100pps
直流正向电流降低比率△IF/℃-0.5mA/℃Ta≧25℃
LED反向电流VR5V 
粘合部位温度TJ125 
输出侧输出耐压VOFF60V 
连续负载电流A连接IO500AA连接:峰值AC/DC
B、C连接:DC
B连接500
C连接1000
导通电流降低比率A连接△IO/℃-5mA/℃Ta≧25℃
B连接-5
C连接-10
脉冲导通电流Iop1.5At=100ms、Duty=1/10
粘合部位温度TJ125 
输入输出间耐压(注1)VI-O2500VrmsAC持续1分钟
使用环境温度Ta-40~+85无结冰、无冷凝
贮藏温度Tstg-55~+125无结冰、无冷凝
焊接温度条件26010s
(注1):测量输入输出间的耐压时,分别对LED针脚、受光侧针脚统一地施加电压。

电气性能(Ta 25

项目符号标准单位条件
输入侧LED正向电流VF1.01.151.3VIF=10mA
反向电流IR10μAVR=5V
端子间电容CT30pFV=0、f=1MHz
触发LED反向电压IFT1.63mAIO=500mA
复位LED反向电压IFC0.1mAIOFF=100μA
输出侧大输出导通电阻A连接RON12ΩIF=5mA、Io=500mA
B连接0.51ΩIF=5mA、Io=500mA
C连接0.25ΩIF=5mA、Io=500mA
开路时漏电流ILEAK1.0μAVOFF=60V
端子间电容COFF130pFV=0、f=1MHz
输入输出间电容CI-O0.8pFf=1MHz、VS=0V
输入输出间电容绝缘电阻RI-O1000108VI-O=500VDC、ROH≦60%
动作时间tON0.82.0msIF=5mA RL=200Ω、VDD=20V(注2)
复位时间tOFF0.10.5ms
(注2): 动作· 复位时间
(単位:mm)
G3VM-61B1

重量:0.4g
注. 标记内容与实际商品有所不同
G3VM-61E1

重量:0.4g
注. 标记内容与实际商品有所不同
印刷基板加工尺寸(BOTTOM VIEW)
实际焊盘尺寸(*值)(TOP VIEW)

端子配置/内部接线图

注. 产品的型号中没有标明:G3VM



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