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G3VM-353B/E MOS FET继
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访问次数:213更新时间:2021-03-23 09:07:14

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产品简介
产品分类:MOS FET继电器 产品说明:G3VM-353B/E MOS FET继电器应用于模拟信号开关的6脚型MOS FET继电器1B(1极常开)接点型▶ 可用于微小模拟信号的开关。▶ AC/DC两用。
产品介绍

种类

形状接点结构端子种类负载电压(大)*型号小包装单位
每杆装数量每卷装数量
DIP61b印刷基板用端子350VG3VM-353B50
表面安装端子G3VM-353E
G3VM-353E(TR)1,500
* 负载电压(大):表示峰值AC、DC。

大额定(Ta 25

项目符号额定单位条件
输入侧LED正向电流IF30mA 
反复峰值LED正向电流IFP1A100μs脉冲、100pps
直流正向电流降低比率△IF/℃-0.5mA/℃Ta≧25℃
LED反向电流VR5V 
粘合部位温度TJ125 
输出侧输出耐压VOFF350V 
连续负载电流A连接IO150mAA连接:峰值AC/DC
B、C连接:DC
B连接150
C连接300
导通电流降低比率A连接△IO/℃-1.5mA/℃Ta≧25℃
B连接-1.5
C连接-3.0
粘合部位温度TJ125 
输入输出间耐压(注1)VI-O2500VrmsAC持续1分钟
使用环境温度Ta-40~+85无结冰、无冷凝
贮藏温度Tstg-55~+125无结冰、无冷凝
焊接温度条件26010s
(注1):测量输入输出间的耐压时,分别对LED针脚、受光侧针脚统一地施加电压。

电气性能(Ta 25

项目符号标准单位条件
输入侧LED正向电流VF1.01.151.3VIF=10mA
反向电流IR10μAVR=5V
端子间电容CT30pFV=0、f=1MHz
触发LED反向电压IFT13mAIO=10μA
输出侧大输出导通电阻A连接RON1525ΩIo=150mA
B连接814ΩIo=150mA
C连接47ΩIo=300mA
开路时漏电流ILEAK1.0μAIF=5mA、VOFF=350V
端子间电容COFF85pFV=0、f=1MHz、IF=5mA
输入输出间电容CI-O0.8pFf=1MHz、VS=0V
输入输出间电容绝缘电阻RI-O1000VI-O=500VDC、ROH≦60%
动作时间tON0.11.0msIF=5mA RL=200Ω、VDD=20V(注2)
复位时间tOFF1.03.0ms
(注2): 动作· 复位时间
(单位:mm)G3VM-353B

重量:0.4g
注. 标记内容与实际商品有所不同
G3VM-353E

重量:0.4g
注. 标记内容与实际商品有所不同
印刷基板加工尺寸(BOTTOM VIEW)
实际焊盘尺寸(*值)(TOP VIEW)

端子配置/内部接线图

注. 产品的型号中没有标明:G3VM。



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