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KDA4-1826D12BT6TDD-LTE 12dBi 双极化小型智
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广东健博通科技股份有限公司
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产品介绍
电气指标 | KDA4-1419D15BT6 | ||
频率范围(MHz) | 1400～1525 | 1750～1900 | |
极化方式 | ±45° | ||
电下倾角（°) | 6 | ||
下倾角精度（°) | ±1 | ||
各单元端口以及校准端口驻波比 | ≤1.5 | ||
同极化单元端口之间隔离度(dB) | ≥28 | ||
异极化单元端口之间隔离度(dB) | ≥28 | ||
校准端口至各单元端口耦合度(dB) | -26±2 | ||
校准端口至各单元端口幅度偏差(dB) | ≤0.7 | ||
校准端口至各单元端口相位偏差(°) | ≤5 | ||
单元 波束 | 水平面半功率波瓣宽度(°） | 105±15 | 65±15 |
| 增益(dBi) | ≥14 | |
| 交叉极化比(dB) | 轴向：≥18，±60°范围内≥10 | |
| 前后比(dB) | ≥23 | ≥25 |
广播波束 | 水平面半功率波瓣宽度(°) | 65±5 | |
| 垂直面半功率波瓣宽度(°) | ≥7 | ≥6 |
| 增益(dBi) | ≥15 | |
| 波束±60°边缘功率下降(dB) | 12±2 | |
| 交叉极化比(dB) | 轴向：≥22，±60°范围内≥10 | |
| 前后比(dB) | ≥28 | |
| 上旁瓣抑制(dB) | ≤-15 | |
| 下零点填充(dB) | ≥-18 | |
业务波束 | 0°波束增益(dBi) | ≥19 | ≥20 |
| 0°波束水平面半功率波瓣宽度(°) | ≤29 | ≤23 |
| 0°波束水平面副瓣电平(dB) | ≤-12 | |
| ±60°波束增益(dBi) | ≥18 | |
| ±60°波束水平面半功率波瓣宽度(°) | ≤34 | ≤28 |
| ±60°波束水平面副瓣电平(dB) | ≤-5 | ≤-4 |
| 0°交叉极化比（轴向） | ≥22 | |
| 0°前后比(dB) | ≥28 | |
